平面波在遠(yuǎn)場(chǎng)總的損耗是吸收損耗和反射損耗之和，如式(6-8)所示。對(duì)于平面波，多重LT1055CN8反射修正因子B通常忽略不計(jì)，這是因?yàn)榉瓷?/span>損耗很大而修正項(xiàng)很小。如果吸收損耗大于ldB，則修正項(xiàng)小于lldB。如果吸收損耗大于4dB，則修正項(xiàng)小于2dB。

   圖6 -16表示o．02in厚的完整銅屏蔽層總的衰減或屏蔽效能�？梢钥闯觯瓷鋼p耗隨著頻率的升高而降低，因?yàn)槠帘螌拥淖杩刮咫S著頻率的增加而增加。但是，吸收損耗卻隨著頻率的增加而增加，因?yàn)橼吥w深度減少了。最低屏蔽效能出現(xiàn)在一些中間頻率，如圖中l(wèi)okHz的情況。從圖6-16可知，對(duì)于低頻平面波，衰減主要是反射損耗；而在高頻率，衰減主要是吸收損耗。

    圖6-16 0.02in厚的銅屏蔽層在遠(yuǎn)場(chǎng)的屏蔽效能

   對(duì)于電場(chǎng)，總的損耗是吸收損耗(式(6-13》和反射損耗(式(6-26》之和，如式(6—8)所示。在電場(chǎng)情況下，多重反肘修正因子B通常忽略不計(jì)，因?yàn)榉瓷鋼p耗很大而修正項(xiàng)很小。低頻時(shí)，反射損耗是電場(chǎng)的主要屏蔽機(jī)制；高頻時(shí)，吸收損耗是電場(chǎng)的主要屏蔽機(jī)制。