平面波在遠場總的損耗是吸收損耗和反射損耗之和，如式(6-8)所示。對于平面波，多重LT1055CN8反射修正因子B通常忽略不計，這是因為反射損耗很大而修正項很小。如果吸收損耗大于ldB，則修正項小于lldB。如果吸收損耗大于4dB，則修正項小于2dB。

   圖6 -16表示o．02in厚的完整銅屏蔽層總的衰減或屏蔽效能�？梢钥闯�，反射損耗隨著頻率的升高而降低，因為屏蔽層的阻抗五隨著頻率的增加而增加。但是，吸收損耗卻隨著頻率的增加而增加，因為趨膚深度減少了。最低屏蔽效能出現(xiàn)在一些中間頻率，如圖中l(wèi)okHz的情況。從圖6-16可知，對于低頻平面波，衰減主要是反射損耗；而在高頻率，衰減主要是吸收損耗。

    圖6-16 0.02in厚的銅屏蔽層在遠場的屏蔽效能

   對于電場，總的損耗是吸收損耗(式(6-13》和反射損耗(式(6-26》之和，如式(6—8)所示。在電場情況下，多重反肘修正因子B通常忽略不計，因為反射損耗很大而修正項很小。低頻時，反射損耗是電場的主要屏蔽機制；高頻時，吸收損耗是電場的主要屏蔽機制。