對于磁場， MAX6241ACSA總的損耗是吸收損耗(式(6-13》和反射損耗(式(6-29》之和，如式(6-8)所示。如果屏蔽層較厚(吸收損耗>9dB)，多重反射修正因子B可以被忽略。如果屏蔽層較薄，式(6-31)或圖6-15中必須考慮修正因子。

   在近場，低頻磁場的反射損耗很小。由于多重反射，這種影響在薄屏蔽層內(nèi)更顯著。磁場的主要損耗是吸收損耗。因為在低頻，吸收損耗和反射損耗都很小，總的屏蔽效能很低。因此，低頻磁場很難屏蔽。低頻磁場的防護措施是通過低磁阻的磁分流路徑來分流被保護電路周圍的場，這種方法如圖6 - 17所示。

   圖6-17磁性材料用于屏蔽為磁場提供低磁阻磁路，在屏蔽區(qū)周圍分流磁場

   圖6 -18顯示了0.02in厚的完整鋁屏蔽層對于電場、平面波和磁場的屏蔽效能。由圖可以看出，除了低頻磁場外都有很好的屏蔽效能。