在高頻吸收損耗為主，如式(6-13)所示，吸收損耗是磁導(dǎo)率和電導(dǎo)率乘積的平方根的函數(shù)。對(duì)于銅，相對(duì)磁導(dǎo)率和相對(duì)電導(dǎo)率的乘積為1。 MT47H128M16RT-25EIT由于鋼的電導(dǎo)率大約是銅的1/10(表6-1)，當(dāng)相對(duì)磁導(dǎo)率下降為10時(shí)，相對(duì)磁導(dǎo)率和相對(duì)電導(dǎo)率的乘積仍為1。對(duì)于鋼，這種情況出現(xiàn)在頻率為1. 5GHz時(shí)(見表6-4)。因此，高于此頻率，鋼實(shí)際提供的吸收損耗小于銅，因?yàn)榇艑?dǎo)率不夠大不足以抵消鋼較小的導(dǎo)電率。

   作為屏蔽的磁性材料的有效性隨磁場強(qiáng)度H改變。圖6-21是一個(gè)典型的髫耗曲線。靜態(tài)磁導(dǎo)率是B和H的比值。可以看出，最大磁導(dǎo)率，也就是最大屏蔽效能，出現(xiàn)在中等場強(qiáng)上。較高的和較低的場強(qiáng)，磋導(dǎo)率比較低，屏蔽效果較差。在高場強(qiáng)的屏蔽效果取決于磁飽和度，飽和度取決于材料類型和材料厚度。在飽和度以上的磁場強(qiáng)度，磁導(dǎo)率迅速降低。通常，磁導(dǎo)率越大，造成磁飽和的磁場強(qiáng)度越低。大多數(shù)磁性材料說明書會(huì)給出在最佳頻率和磁場強(qiáng)度下的最佳磁導(dǎo)率，這樣的說明書可能會(huì)產(chǎn)生誤導(dǎo)。

   為了克服磁飽和現(xiàn)象，可以使用多層磁屏蔽，一個(gè)例子如圖6-22所示。第一屏蔽層（低磁導(dǎo)率材料例如鋼）在較高的磁飽和水平，第二屏蔽層（高磁導(dǎo)率材料如鎳鐵合金）在低磁飽和水

平。第一層屏蔽降低磁場的幅度到某一值不會(huì)使第二層屏蔽磁飽和，然后第二層提供大部分的磁場屏蔽。這些屏蔽層也可以使用導(dǎo)體，如銅作為第一層屏蔽，磁性材料作為第二層屏蔽。

   低磁導(dǎo)率高飽和度的材料通常作為靠近磁場源的屏蔽層。在一些困難的情況下，為了獲得所需的磁場衰減需要另加屏蔽層。多層屏蔽的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是增加的反射面會(huì)增加反射損耗。

   加工一些高磁導(dǎo)率材料，如鎳鐵合金或坡莫合金，可能降低它們的磁性能。如果材料跌落或受到?jīng)_擊也會(huì)如此。所以材料必須在加工或成型后再退火以恢復(fù)其原來的磁性能。