在近場金屬屏蔽層磁衰減實驗數(shù)據(jù)
發(fā)布時間:2014/4/14 21:08:01 訪問次數(shù):1214
不同類型金屬片低頻磁場屏蔽效果的測試結(jié)果如圖6-23和圖6-24所示。P80C552IBA在源和接收器距離0. lin的近場進(jìn)行測量。屏蔽層厚度從3~60mils (in×10-3),測試頻率范圍l~lookHz。
圖6-23清楚地表明在lkHz鋼比銅磁場屏蔽好,在lookHz,鋼只比銅稍好。但是,在lookHz~1MHz間的某一頻率以上,銅比鋼屏蔽效果好。
圖6-23在近場金屬屏蔽層磁衰減實驗數(shù)據(jù)
圖6-24在近場確定導(dǎo)體片的磁場衰減試驗結(jié)果
圖6-23顯示鎳鐵合金作為磁屏蔽層時頻率的影響。在lkHz,鎳鐵合金比鋼更有效;但在lokHz,鋼比鎳鐵合金有效;在lOokHz,鋼、銅、鋁都優(yōu)于鎳鐵合金。
圖6-24中,利用圖6-23中的一些數(shù)據(jù)繪出薄銅和鋁屏蔽層從lkHz到1MHz的不同頻率磁場的衰減。
總之,一種磁性材料,如鋼或鎳鐵合金,對低頻磁場的屏蔽比良導(dǎo)體(如鋁或銅)效果好。然而,在高頻段,良導(dǎo)體提供更好的磁屏蔽。
完整的非磁性屏蔽層的屏蔽效能隨頻率升高而增加。因此,屏蔽效能的測量應(yīng)在關(guān)注頻段的最低頻率進(jìn)行。磁導(dǎo)率隨頻率增加而下降導(dǎo)致磁性材料的屏蔽效果隨著頻率的增加而降低。因為隨頻率增加通過孔隙的泄露增大,非完整的屏蔽層的屏蔽效能也會隨著頻率升高而降低。
不同類型金屬片低頻磁場屏蔽效果的測試結(jié)果如圖6-23和圖6-24所示。P80C552IBA在源和接收器距離0. lin的近場進(jìn)行測量。屏蔽層厚度從3~60mils (in×10-3),測試頻率范圍l~lookHz。
圖6-23清楚地表明在lkHz鋼比銅磁場屏蔽好,在lookHz,鋼只比銅稍好。但是,在lookHz~1MHz間的某一頻率以上,銅比鋼屏蔽效果好。
圖6-23在近場金屬屏蔽層磁衰減實驗數(shù)據(jù)
圖6-24在近場確定導(dǎo)體片的磁場衰減試驗結(jié)果
圖6-23顯示鎳鐵合金作為磁屏蔽層時頻率的影響。在lkHz,鎳鐵合金比鋼更有效;但在lokHz,鋼比鎳鐵合金有效;在lOokHz,鋼、銅、鋁都優(yōu)于鎳鐵合金。
圖6-24中,利用圖6-23中的一些數(shù)據(jù)繪出薄銅和鋁屏蔽層從lkHz到1MHz的不同頻率磁場的衰減。
總之,一種磁性材料,如鋼或鎳鐵合金,對低頻磁場的屏蔽比良導(dǎo)體(如鋁或銅)效果好。然而,在高頻段,良導(dǎo)體提供更好的磁屏蔽。
完整的非磁性屏蔽層的屏蔽效能隨頻率升高而增加。因此,屏蔽效能的測量應(yīng)在關(guān)注頻段的最低頻率進(jìn)行。磁導(dǎo)率隨頻率增加而下降導(dǎo)致磁性材料的屏蔽效果隨著頻率的增加而降低。因為隨頻率增加通過孔隙的泄露增大,非完整的屏蔽層的屏蔽效能也會隨著頻率升高而降低。
上一篇:孔隙
熱門點擊
- RC移相式正弦波振蕩器電路故障分析
- 多諧振蕩器電路又稱為無穩(wěn)態(tài)電路
- 元器件焊接操作方法
- 電流串聯(lián)負(fù)反饋電路
- 功率晶體管的開關(guān)作用
- 在近場金屬屏蔽層磁衰減實驗數(shù)據(jù)
- 正、負(fù)極性半波整流電路
- 萬用表檢修特殊揚聲器電路故障
- 同步分離電路
- 選擇性屏蔽示例
推薦技術(shù)資料
- FU-19推挽功放制作
- FU-19是國產(chǎn)大功率發(fā)射雙四極功率電二管,EPL20... [詳細(xì)]