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浸銀(Immersion Silver,I-Ag)

發(fā)布時(shí)間:2014/4/29 20:14:50 訪問(wèn)次數(shù):2912

    ENEPIG即化學(xué)鍍鎳、化學(xué)鍍鈀、浸鍍金。ENEPIG是指先在PCB焊盤(pán)上化學(xué)鍍Ni(厚度3~6um),然后再化學(xué)鍍Pa(厚度0.1~0.5 ym),最后再浸鍍一層0.02~O.lUm的薄金。

   ENEPIG與ENIG相比,LF10WBPD-12S(02)化學(xué)鍍鈀與化學(xué)鍍鎳的工藝相近似。在鎳和金之間多了一層鈀,相當(dāng)于在鎳和金之間形成了阻擋層,鈀層可以防止出現(xiàn)置換反應(yīng)導(dǎo)致鎳的腐蝕現(xiàn)象,避免黑盤(pán)(或稱黑鎳)現(xiàn)象;鈀層還可以使金層鍍得更薄一些,避免“金脆”現(xiàn)蒙;另外,浸金時(shí)金能夠緊密覆蓋在鈀層表面,提供良好的焊接面;焊接時(shí),在合金界面不會(huì)出現(xiàn)富磷層,鈀層會(huì)完全溶解在焊料中,露出新鮮的鎳與錫生成良好的錫鎳合金(Ni3S114)。因此,ENEPIG的可焊性和可靠性比ENIG好,適合軍工和高可靠產(chǎn)品。

   目前ENEPIG的主要問(wèn)題是工藝還不夠普遍和成熟,而且工藝控制與ENIG -樣非常嚴(yán)格。另外鈀是稀有金屬,價(jià)格很貴。

   浸銀(Immersion Silver,I-Ag)

   I-Ag是通過(guò)浸銀工藝處理,在銅表面沉積一層薄(0.1~0.4ym)而密的銀保護(hù)膜,銅表面在銀的密封下,大大延長(zhǎng)了壽命。

   對(duì)于I-Ag精確的化學(xué)配方、厚度、表面平整度及銀層內(nèi)有機(jī)元素的分布,都必須仔細(xì)選擇和規(guī)定,否則浸銀中平面的微孔或香檳狀氣泡會(huì)影響焊接可靠性。另外,要求I-Ag的替代工藝都必須適用于有鉛和無(wú)鉛兩種工藝。

   浸銀工藝(I-Ag)是目前使用更多、成本更低廉的ENIG (Ni/Au)替代工藝,而且更為廣泛地被工業(yè)界接受。I-Ag的可焊性、ICT可探測(cè)性及接觸/開(kāi)關(guān)焊盤(pán)的性能不如Ni-Au,但對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)合已滿足要求。

   浸錫(I-Sn)

   I-Sn就是通過(guò)化學(xué)方法在裸銅表面沉積~層錫薄膜。錫的沉積厚度應(yīng)大于l.Oym。

   浸錫(I-Sn)的加工成本比較低。其主要問(wèn)題是在浸錫過(guò)程中容易產(chǎn)生Cu-Sn金屬間化合物,影響可焊性;另一個(gè)問(wèn)題是壽命短,新板的潤(rùn)濕性較好,但存儲(chǔ)一段時(shí)間螽,或經(jīng)過(guò)1次回流后由于Cu-Sn金屬間化合物的不斷增長(zhǎng)與高溫氧化,使?jié)櫇裥匝杆傧陆悼欤踔敛荒?/span>承受波峰焊前的一次再流焊,因此工藝性較差。一般該工藝可應(yīng)用在一次焊接工藝的消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

    ENEPIG即化學(xué)鍍鎳、化學(xué)鍍鈀、浸鍍金。ENEPIG是指先在PCB焊盤(pán)上化學(xué)鍍Ni(厚度3~6um),然后再化學(xué)鍍Pa(厚度0.1~0.5 ym),最后再浸鍍一層0.02~O.lUm的薄金。

   ENEPIG與ENIG相比,LF10WBPD-12S(02)化學(xué)鍍鈀與化學(xué)鍍鎳的工藝相近似。在鎳和金之間多了一層鈀,相當(dāng)于在鎳和金之間形成了阻擋層,鈀層可以防止出現(xiàn)置換反應(yīng)導(dǎo)致鎳的腐蝕現(xiàn)象,避免黑盤(pán)(或稱黑鎳)現(xiàn)象;鈀層還可以使金層鍍得更薄一些,避免“金脆”現(xiàn)蒙;另外,浸金時(shí)金能夠緊密覆蓋在鈀層表面,提供良好的焊接面;焊接時(shí),在合金界面不會(huì)出現(xiàn)富磷層,鈀層會(huì)完全溶解在焊料中,露出新鮮的鎳與錫生成良好的錫鎳合金(Ni3S114)。因此,ENEPIG的可焊性和可靠性比ENIG好,適合軍工和高可靠產(chǎn)品。

   目前ENEPIG的主要問(wèn)題是工藝還不夠普遍和成熟,而且工藝控制與ENIG -樣非常嚴(yán)格。另外鈀是稀有金屬,價(jià)格很貴。

   浸銀(Immersion Silver,I-Ag)

   I-Ag是通過(guò)浸銀工藝處理,在銅表面沉積一層薄(0.1~0.4ym)而密的銀保護(hù)膜,銅表面在銀的密封下,大大延長(zhǎng)了壽命。

   對(duì)于I-Ag精確的化學(xué)配方、厚度、表面平整度及銀層內(nèi)有機(jī)元素的分布,都必須仔細(xì)選擇和規(guī)定,否則浸銀中平面的微孔或香檳狀氣泡會(huì)影響焊接可靠性。另外,要求I-Ag的替代工藝都必須適用于有鉛和無(wú)鉛兩種工藝。

   浸銀工藝(I-Ag)是目前使用更多、成本更低廉的ENIG (Ni/Au)替代工藝,而且更為廣泛地被工業(yè)界接受。I-Ag的可焊性、ICT可探測(cè)性及接觸/開(kāi)關(guān)焊盤(pán)的性能不如Ni-Au,但對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)合已滿足要求。

   浸錫(I-Sn)

   I-Sn就是通過(guò)化學(xué)方法在裸銅表面沉積~層錫薄膜。錫的沉積厚度應(yīng)大于l.Oym。

   浸錫(I-Sn)的加工成本比較低。其主要問(wèn)題是在浸錫過(guò)程中容易產(chǎn)生Cu-Sn金屬間化合物,影響可焊性;另一個(gè)問(wèn)題是壽命短,新板的潤(rùn)濕性較好,但存儲(chǔ)一段時(shí)間螽,或經(jīng)過(guò)1次回流后由于Cu-Sn金屬間化合物的不斷增長(zhǎng)與高溫氧化,使?jié)櫇裥匝杆傧陆悼,甚至不?/span>承受波峰焊前的一次再流焊,因此工藝性較差。一般該工藝可應(yīng)用在一次焊接工藝的消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

相關(guān)技術(shù)資料
4-29浸銀(Immersion Silver,I-Ag)
相關(guān)IC型號(hào)
LF10WBPD-12S(02)
暫無(wú)最新型號(hào)

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