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半導(dǎo)體存儲器的特點

發(fā)布時間:2014/6/2 16:55:14 訪問次數(shù):1279

   1.RAM的特點

   (1)靜態(tài)RAM的特點

  一般用6個MOS管構(gòu)成的觸發(fā)器作為基本存儲元,存放 AD53098-914-01一個二進制(b)信息。

   集成度低于動態(tài)RAM,適合做小容量的存儲器。

  不需要刷新,易于用電池作備用電源,以解決斷電后繼續(xù)保存信息的問題。

   功耗低于雙極型RAM,但高于動態(tài)RAM。

   (2)動態(tài)RAM的特點

   一般果用單管作基本存儲單元,依靠寄生電容存儲電荷來存儲信息。

   集成度高,適合做大容量的存儲器。

   需要定時刷新,通常刷新間隔為2ms。

   功耗較靜態(tài)RAM低,位價格也較便宜。

   2.ROM的分類及特點    ,

   (1)掩膜式ROM

   用廠家定做的掩膜對存儲器進行編程,一旦制造完畢,內(nèi)容固定不能改變。適合批量生產(chǎn),但不適合科學(xué)及工程研發(fā)。

   (2) -次可編程式的PROM

    允許用戶一次性寫入,再也不可更改。因此,不適合于研發(fā)。

   (3)可擦寫式的EPROM

   允許用戶多次寫入信息。寫入操作由專用設(shè)備完成,但寫入之前必須先擦除原來按照擦除方式的不同,又可分為紫外光擦除的UVEPROM和電擦除的EEPROM。

   寫入時電壓要求較高(一般為20—25V),寫入速度較慢而不能像RAM那樣作隨機存取存儲器使用。


   1.RAM的特點

   (1)靜態(tài)RAM的特點

  一般用6個MOS管構(gòu)成的觸發(fā)器作為基本存儲元,存放 AD53098-914-01一個二進制(b)信息。

   集成度低于動態(tài)RAM,適合做小容量的存儲器。

  不需要刷新,易于用電池作備用電源,以解決斷電后繼續(xù)保存信息的問題。

   功耗低于雙極型RAM,但高于動態(tài)RAM。

   (2)動態(tài)RAM的特點

   一般果用單管作基本存儲單元,依靠寄生電容存儲電荷來存儲信息。

   集成度高,適合做大容量的存儲器。

   需要定時刷新,通常刷新間隔為2ms。

   功耗較靜態(tài)RAM低,位價格也較便宜。

   2.ROM的分類及特點    ,

   (1)掩膜式ROM

   用廠家定做的掩膜對存儲器進行編程,一旦制造完畢,內(nèi)容固定不能改變。適合批量生產(chǎn),但不適合科學(xué)及工程研發(fā)。

   (2) -次可編程式的PROM

    允許用戶一次性寫入,再也不可更改。因此,不適合于研發(fā)。

   (3)可擦寫式的EPROM

   允許用戶多次寫入信息。寫入操作由專用設(shè)備完成,但寫入之前必須先擦除原來按照擦除方式的不同,又可分為紫外光擦除的UVEPROM和電擦除的EEPROM。

   寫入時電壓要求較高(一般為20—25V),寫入速度較慢而不能像RAM那樣作隨機存取存儲器使用。


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