半導(dǎo)體存儲器的性能指標(biāo)
發(fā)布時(shí)間:2014/6/2 16:52:53 訪問次數(shù):2058
1.存儲容量
半導(dǎo)體存儲器一般都采用大規(guī);虺笠(guī)模集成電路工藝,制作成存儲器芯片,由于AD53065X生產(chǎn)工藝和組織方式各有不同,芯片容量是指存儲器芯片上能存儲的二進(jìn)制的位數(shù),表示方法是:
芯片容量=存儲單元數(shù)×每單元位數(shù)
例如,存儲容量為128×4的存儲芯片表示它有128個(gè)存儲單元,每個(gè)存儲單元只能存微型計(jì)算機(jī)中的存儲器系統(tǒng)由存儲器芯片組成,并且按字節(jié)編址,所以存儲器的容量是以字節(jié)為單位的,常用B來表示,1B表示一個(gè)存儲單元。例如,存儲容量為1MB的存儲器表示它可以有1024x1024個(gè)存儲單元,每個(gè)存儲單元可以存儲8位二進(jìn)制信息。
2.存取時(shí)間
存取時(shí)間是指存數(shù)的寫操作和取數(shù)的讀操作所占用的時(shí)間,一般以ns為單位。存儲器芯片出售時(shí)一般要給出典型的存取時(shí)間或最大時(shí)間。例如某芯片外殼上標(biāo)注的型號為2732A-20,表示該芯片的存取時(shí)間為20ns。
3.功耗
功耗可用每塊芯片總功率來表示,單位為mW/芯片,也可用每個(gè)存儲單元所耗的功率,單位為LiW/單元。
4.可靠性
一般用平均故障間隔時(shí)間來描述,目前一般在l05~10611之間。
1.存儲容量
半導(dǎo)體存儲器一般都采用大規(guī);虺笠(guī)模集成電路工藝,制作成存儲器芯片,由于AD53065X生產(chǎn)工藝和組織方式各有不同,芯片容量是指存儲器芯片上能存儲的二進(jìn)制的位數(shù),表示方法是:
芯片容量=存儲單元數(shù)×每單元位數(shù)
例如,存儲容量為128×4的存儲芯片表示它有128個(gè)存儲單元,每個(gè)存儲單元只能存微型計(jì)算機(jī)中的存儲器系統(tǒng)由存儲器芯片組成,并且按字節(jié)編址,所以存儲器的容量是以字節(jié)為單位的,常用B來表示,1B表示一個(gè)存儲單元。例如,存儲容量為1MB的存儲器表示它可以有1024x1024個(gè)存儲單元,每個(gè)存儲單元可以存儲8位二進(jìn)制信息。
2.存取時(shí)間
存取時(shí)間是指存數(shù)的寫操作和取數(shù)的讀操作所占用的時(shí)間,一般以ns為單位。存儲器芯片出售時(shí)一般要給出典型的存取時(shí)間或最大時(shí)間。例如某芯片外殼上標(biāo)注的型號為2732A-20,表示該芯片的存取時(shí)間為20ns。
3.功耗
功耗可用每塊芯片總功率來表示,單位為mW/芯片,也可用每個(gè)存儲單元所耗的功率,單位為LiW/單元。
4.可靠性
一般用平均故障間隔時(shí)間來描述,目前一般在l05~10611之間。
上一篇:存儲器基礎(chǔ)
熱門點(diǎn)擊
- 助焊劑的組成
- ENIG (Ni/Au)
- 雙波峰焊接過程示意圖和雙波峰焊錫波
- PCB焊盤表面涂(鍍)層
- 半導(dǎo)體存儲器的性能指標(biāo)
- 預(yù)置焊料預(yù)制片法
- 控制線(6條)
- 生成網(wǎng)絡(luò)表文件和材料清單
- 水溶性助焊劑
- 元件布局要滿足再流焊、波峰焊的工藝要求和間距
推薦技術(shù)資料
- 繪制印制電路板的過程
- 繪制印制電路板是相當(dāng)重要的過程,EPL2010新穎的理... [詳細(xì)]