4164 DRAM芯片
發(fā)布時間:2014/6/2 17:09:58 訪問次數(shù):2972
4164芯片是一種64Kxl位的DRAM,微機系統(tǒng)常用的芯片還有2116 (16Kxl)、2164( 64Kxl)、4116 (16Kxl)、41256 (256Kxl)等。4164內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖2-8所示。
DRAM集成度較高, AD5379ABC對于同樣的引腳數(shù),其單片容量往往比SRAM高。內(nèi)部存儲單元按矩陣形式排列成存儲體,通常采用行、列地址復(fù)合選擇尋址法。4164芯片的16位地址分兩次通過8條地址線送入芯片內(nèi)部,所以在使用4164芯片時,必須在芯片外部配備多路轉(zhuǎn)換器,如圖2-9所示。其先后順序是:首先由行地址選通信號RAS上的低電平選通,將第一組8位地址( A6—AO)作為行地址至4164芯片內(nèi)部行地址鎖存器中鎖存;RAS信號失效后,列地址選通信號CAS低電平有效,將列地址送入4164芯片鎖存。行、列地址譯碼器共同選擇存儲陣列的存儲單元工作,在CPU送來寫控制信號WE后,完成相應(yīng)的讀/寫WE=1,寫操作)。
只讀存儲器簡稱為ROM。ROM中的信息,通常是在脫機狀態(tài)下或在特殊環(huán)境下寫入的,故把ROM的寫信息又稱為編程。并且一旦寫入以后,就不能隨意更改,特別是不能在程序運行的過程中再寫入新的內(nèi)容,而只能在程序執(zhí)行的過程中讀出其中的內(nèi)容,所以稱為只讀存儲器。ROM的另一特點是它所存儲的內(nèi)容在斷電時不會消失,稱為非易失性存儲器,而RAM由于斷電后觸發(fā)器或寄生電容存放的信息就消失,稱為易失性存儲器。
ROM按照存儲原理的不同,又可以分為掩膜的ROM、一次編程PROM和可擦除可編程EPROM。
4164芯片是一種64Kxl位的DRAM,微機系統(tǒng)常用的芯片還有2116 (16Kxl)、2164( 64Kxl)、4116 (16Kxl)、41256 (256Kxl)等。4164內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖2-8所示。
DRAM集成度較高, AD5379ABC對于同樣的引腳數(shù),其單片容量往往比SRAM高。內(nèi)部存儲單元按矩陣形式排列成存儲體,通常采用行、列地址復(fù)合選擇尋址法。4164芯片的16位地址分兩次通過8條地址線送入芯片內(nèi)部,所以在使用4164芯片時,必須在芯片外部配備多路轉(zhuǎn)換器,如圖2-9所示。其先后順序是:首先由行地址選通信號RAS上的低電平選通,將第一組8位地址( A6—AO)作為行地址至4164芯片內(nèi)部行地址鎖存器中鎖存;RAS信號失效后,列地址選通信號CAS低電平有效,將列地址送入4164芯片鎖存。行、列地址譯碼器共同選擇存儲陣列的存儲單元工作,在CPU送來寫控制信號WE后,完成相應(yīng)的讀/寫WE=1,寫操作)。
只讀存儲器簡稱為ROM。ROM中的信息,通常是在脫機狀態(tài)下或在特殊環(huán)境下寫入的,故把ROM的寫信息又稱為編程。并且一旦寫入以后,就不能隨意更改,特別是不能在程序運行的過程中再寫入新的內(nèi)容,而只能在程序執(zhí)行的過程中讀出其中的內(nèi)容,所以稱為只讀存儲器。ROM的另一特點是它所存儲的內(nèi)容在斷電時不會消失,稱為非易失性存儲器,而RAM由于斷電后觸發(fā)器或寄生電容存放的信息就消失,稱為易失性存儲器。
ROM按照存儲原理的不同,又可以分為掩膜的ROM、一次編程PROM和可擦除可編程EPROM。
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