SRAM在沒(méi)有新的寫(xiě)入信號(hào)到來(lái)時(shí)，觸發(fā)器的狀態(tài)不會(huì)改變，所存信息將長(zhǎng)時(shí)間保存不變，AD53527J但其所需的元件數(shù)較多，并且一個(gè)位元中至少有一組MOS管導(dǎo)通，因而功耗較大。而動(dòng)態(tài)RAM具有元件少、功耗低的特點(diǎn)，在大容量存儲(chǔ)器中廣泛使用。

   DRAM是利用MOS管柵極與襯底間的寄生電容Cg存儲(chǔ)信息，如圖2-5所示。寫(xiě)入時(shí)，字線為1，T管導(dǎo)通，寫(xiě)入的數(shù)據(jù)加果是“1”，則位線向Cg充電，Cg存有電荷，表示信息“1”，否則Cg沒(méi)有電荷，就表示存有信息“0”。讀出時(shí)，字線的高電平使T管導(dǎo)通，Cg就和數(shù)據(jù)線連通，再經(jīng)過(guò)高靈敏度的讀出放大器后就能正確輸出。

   由上分析可知，DRAM是依靠Cg上有無(wú)電荷來(lái)存儲(chǔ)信息的，Cg存有電荷，表示信息“1”，否則表示信息“0”。由于電容是動(dòng)態(tài)元件，總有漏電存在，所以Cg上的信息不能長(zhǎng)時(shí)間地保留，經(jīng)過(guò)電容的漏電，電荷會(huì)逐漸泄漏掉。因此，為了保持住Cg上的信息，必須周期性地給存“1”的電路充電，這個(gè)過(guò)程稱為刷新。動(dòng)態(tài)RAM的刷新由刷新外圍電路完成，一般以2ms為周期將所有的單元都刷新一遍，這是動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器使用時(shí)必須要考慮和解決的問(wèn)題。