隨機存取存儲器的應用
發(fā)布時間:2014/7/15 22:10:58 訪問次數:1239
一、實驗目的
①學會使用靜態(tài)隨杌存取存儲器。
②加深對總線概念的理解。
二、實驗原理
RAM2114A工作原理
RAM2114A是一種1 024×4的靜態(tài)隨機存取存儲器,采用HMOS工藝制作,U0063A-AY它的邏輯符號如圖3. 76所示。其引腳有3類:一類是輸入地址腳,由地址腳決定輸入數據存在何處或從何處取出數據;二類腳是輸入控制腳,控制芯片的選中和數據的讀寫;三類是輸入輸出數據腳,是芯片和外界進行信息交換的通道。各引腳端具體功能如表3. 18所示。
RAM2144A具有如下特點。
①采用直接耦合的靜態(tài)電路,不需要時鐘信號驅動,也無須刷新。
②不需要地址建立時間,存取特別簡單。
③在CS=O,WE=1時讀出信息,讀出是非破壞性的。
④在CS=O時,WE輸入一個負脈沖,則能寫入信息;同樣,在WE=O時,CS輸入一個負脈沖,也能寫入信息。為了防止誤寫入,在改變地址碼時,WE或CS必須至少有一個為1。
⑤輸入、輸出信號是同極性的,使用I/O端,能直接與系統(tǒng)總線相連接。
⑥使用單電源+5 V供電。
⑦輸入、輸出與TTL電路兼容,輸出能驅動一個TTL門和CL一100 pF的負載工c,,一2. 1~6 mA,I()H一-1. 0~-1.4 mA.
③具有獨立選片功能和三態(tài)輸出。
⑨器件具有高速與低功耗性能。
⑩讀/寫周期均小于250 ns。
隨機存取存儲器種類很多,RAM2114A是一種常用的靜態(tài)存儲器,是RAM2114的改進型。實驗中也可以使用其他型號的隨機存儲器。例如,6116是一種使用較廣的2 048×8位的靜態(tài)隨機存取存儲器,它的使用方法與RAM2114A相似,僅多一個DE讀取通端,當DE-O、WE=1時,讀出存儲器內信息,在DE-1、WE-O時,則把信息寫入存儲器。
隨機存取存儲器是一種快速存取的存儲器,廣泛應用于計算機或其他數字系統(tǒng)作為主存儲器使用,通電后可以根據要求寫入信息,并在工作過程中能不斷更改其存儲內容。但一旦斷電,信息全部消失,下次通電時,必須重新寫入才能發(fā)揮作用。
一、實驗目的
①學會使用靜態(tài)隨杌存取存儲器。
②加深對總線概念的理解。
二、實驗原理
RAM2114A工作原理
RAM2114A是一種1 024×4的靜態(tài)隨機存取存儲器,采用HMOS工藝制作,U0063A-AY它的邏輯符號如圖3. 76所示。其引腳有3類:一類是輸入地址腳,由地址腳決定輸入數據存在何處或從何處取出數據;二類腳是輸入控制腳,控制芯片的選中和數據的讀寫;三類是輸入輸出數據腳,是芯片和外界進行信息交換的通道。各引腳端具體功能如表3. 18所示。
RAM2144A具有如下特點。
①采用直接耦合的靜態(tài)電路,不需要時鐘信號驅動,也無須刷新。
②不需要地址建立時間,存取特別簡單。
③在CS=O,WE=1時讀出信息,讀出是非破壞性的。
④在CS=O時,WE輸入一個負脈沖,則能寫入信息;同樣,在WE=O時,CS輸入一個負脈沖,也能寫入信息。為了防止誤寫入,在改變地址碼時,WE或CS必須至少有一個為1。
⑤輸入、輸出信號是同極性的,使用I/O端,能直接與系統(tǒng)總線相連接。
⑥使用單電源+5 V供電。
⑦輸入、輸出與TTL電路兼容,輸出能驅動一個TTL門和CL一100 pF的負載工c,,一2. 1~6 mA,I()H一-1. 0~-1.4 mA.
③具有獨立選片功能和三態(tài)輸出。
⑨器件具有高速與低功耗性能。
⑩讀/寫周期均小于250 ns。
隨機存取存儲器種類很多,RAM2114A是一種常用的靜態(tài)存儲器,是RAM2114的改進型。實驗中也可以使用其他型號的隨機存儲器。例如,6116是一種使用較廣的2 048×8位的靜態(tài)隨機存取存儲器,它的使用方法與RAM2114A相似,僅多一個DE讀取通端,當DE-O、WE=1時,讀出存儲器內信息,在DE-1、WE-O時,則把信息寫入存儲器。
隨機存取存儲器是一種快速存取的存儲器,廣泛應用于計算機或其他數字系統(tǒng)作為主存儲器使用,通電后可以根據要求寫入信息,并在工作過程中能不斷更改其存儲內容。但一旦斷電,信息全部消失,下次通電時,必須重新寫入才能發(fā)揮作用。
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