三極管的特性測試
發(fā)布時間:2014/10/6 17:24:31 訪問次數(shù):1429
晶體三極管是廣泛應(yīng)用在模擬電子線路中的元器件, MAX5913EMH在設(shè)計電路前了解所用晶體三極管的參數(shù)特性是很重要的工作。在NI ELVIS平臺上,通過虛擬儀器和相關(guān)的硬件設(shè)備為用戶提供了進(jìn)行晶體三板管伏安特性測試的功能。
單擊圖2-4中的3-Wire圖標(biāo),將彈出圖2-68所示的3-Wire電流一電壓分析儀對話框。該對話框中的參數(shù)功能簡介如下。
Transistor Type區(qū):設(shè)置進(jìn)行伏安特性測試的三極管的類型,有NPN和PNP兩種類型。
Collector Voltage Sweep區(qū):設(shè)置三極管集電極電壓掃描的范圍。其中,Vc Start項(xiàng)設(shè)置掃描起始電壓;Vc Stop項(xiàng)設(shè)置掃描終止電壓;Vc Step項(xiàng)設(shè)置掃描時的步進(jìn)電壓;Ic Limit項(xiàng)設(shè)置集電極的最大電流限制,同2-Wire電流一電壓分析儀一樣,Vc Stop項(xiàng)最大數(shù)值為10V;Ic Limit項(xiàng)的最大數(shù)值為40mA。
Base Current Sweep區(qū):設(shè)置基極電流的掃描范圍。因?yàn)槿龢O管是電流控制的電流源,其工作時是靠基極電流來控制集電極電流,對于不同基極電流就會有不同的集電極電流,所以在Base Current Sweep區(qū)中設(shè)置基極電流的掃描范圍,其相關(guān)項(xiàng)設(shè)置與Collector Voltage Sweep區(qū)中相關(guān)項(xiàng)類似。
Graph Settings區(qū):用于設(shè)置在不同坐標(biāo)系下顯示測量結(jié)果,用法與2-Wire分析儀類似。
Cursor Settings區(qū):用于進(jìn)行游標(biāo)設(shè)置,用法與2-Wire分析儀類似。
本例中選擇一個直插型晶體管C9013,根據(jù)C9013 H的數(shù)掘手冊來判斷該三極管為NPN型晶體管,并確定其基極、集電極、發(fā)射極的引腳序號,并將其發(fā)射極、基極、集電極分別對應(yīng)插入圖2-45中的DUT-、BASE、DUT+插孔,打開虛擬儀器3-Wire電流一電壓分析儀,按照圖2-68中的參數(shù)設(shè)置來進(jìn)行三極管伏安特性曲線的測試,從數(shù)據(jù)手冊可知,元件的集電極一發(fā)射極擊穿電壓為BVCE020V,而Collector Voltage Sweep區(qū)中Vc Stop項(xiàng)的最大數(shù)值為10V,所以用戶可以放心設(shè)置電壓掃描范圍,圖中Base Current Sweep區(qū)的參數(shù)設(shè)置參考了C9013的數(shù)據(jù)手冊中伏安特性曲線上基極電流的設(shè)置,測試結(jié)果如圖2-68所示。
晶體三極管是廣泛應(yīng)用在模擬電子線路中的元器件, MAX5913EMH在設(shè)計電路前了解所用晶體三極管的參數(shù)特性是很重要的工作。在NI ELVIS平臺上,通過虛擬儀器和相關(guān)的硬件設(shè)備為用戶提供了進(jìn)行晶體三板管伏安特性測試的功能。
單擊圖2-4中的3-Wire圖標(biāo),將彈出圖2-68所示的3-Wire電流一電壓分析儀對話框。該對話框中的參數(shù)功能簡介如下。
Transistor Type區(qū):設(shè)置進(jìn)行伏安特性測試的三極管的類型,有NPN和PNP兩種類型。
Collector Voltage Sweep區(qū):設(shè)置三極管集電極電壓掃描的范圍。其中,Vc Start項(xiàng)設(shè)置掃描起始電壓;Vc Stop項(xiàng)設(shè)置掃描終止電壓;Vc Step項(xiàng)設(shè)置掃描時的步進(jìn)電壓;Ic Limit項(xiàng)設(shè)置集電極的最大電流限制,同2-Wire電流一電壓分析儀一樣,Vc Stop項(xiàng)最大數(shù)值為10V;Ic Limit項(xiàng)的最大數(shù)值為40mA。
Base Current Sweep區(qū):設(shè)置基極電流的掃描范圍。因?yàn)槿龢O管是電流控制的電流源,其工作時是靠基極電流來控制集電極電流,對于不同基極電流就會有不同的集電極電流,所以在Base Current Sweep區(qū)中設(shè)置基極電流的掃描范圍,其相關(guān)項(xiàng)設(shè)置與Collector Voltage Sweep區(qū)中相關(guān)項(xiàng)類似。
Graph Settings區(qū):用于設(shè)置在不同坐標(biāo)系下顯示測量結(jié)果,用法與2-Wire分析儀類似。
Cursor Settings區(qū):用于進(jìn)行游標(biāo)設(shè)置,用法與2-Wire分析儀類似。
本例中選擇一個直插型晶體管C9013,根據(jù)C9013 H的數(shù)掘手冊來判斷該三極管為NPN型晶體管,并確定其基極、集電極、發(fā)射極的引腳序號,并將其發(fā)射極、基極、集電極分別對應(yīng)插入圖2-45中的DUT-、BASE、DUT+插孔,打開虛擬儀器3-Wire電流一電壓分析儀,按照圖2-68中的參數(shù)設(shè)置來進(jìn)行三極管伏安特性曲線的測試,從數(shù)據(jù)手冊可知,元件的集電極一發(fā)射極擊穿電壓為BVCE020V,而Collector Voltage Sweep區(qū)中Vc Stop項(xiàng)的最大數(shù)值為10V,所以用戶可以放心設(shè)置電壓掃描范圍,圖中Base Current Sweep區(qū)的參數(shù)設(shè)置參考了C9013的數(shù)據(jù)手冊中伏安特性曲線上基極電流的設(shè)置,測試結(jié)果如圖2-68所示。
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