飽和壓降。對共發(fā)AD5422BREZ射極接法的晶體管來說，集電極發(fā)射極的飽和壓降是指晶體管進(jìn)入飽和狀態(tài)后集電極與發(fā)射極之間的電壓降。它的數(shù)值大小與晶體管的電流大小有關(guān)。

   一般對于功率相當(dāng)或ICM相同的鍺管和硅管來講，鍺管的飽和壓降比硅管要小。在同樣的電源電壓情況下鍺管的動態(tài)范圍大，效率高，這是鍺管的一大優(yōu)點。所以在低電壓、大電流的功率放大電路宜用鍺管。例如，用一節(jié)1. 5V干電池作電源的晶體管收

音機末級功放管就必須用鍺管才能勝任，如果用磕管，則會由飽和壓降大使得輸出功率太小。

   擊穿電壓。我們知道晶體管的常用擊穿電壓參數(shù)有以下三個。

   1) BVBo，這是指發(fā)射極開路，集電極基極間反向擊穿電壓。

   2) BVCEO，這是指基極開路，集電極一發(fā)射極間反向擊穿電壓。

   有時也用B VCER，這是指基極一發(fā)射極串聯(lián)電阻時，集電極一發(fā)射極擊穿電壓。

   3) BVEBo，這是指集電極開路，發(fā)射極基極間反向擊穿電壓。  、

   一般同類型的硅管與鍺管相比，硅管的前兩個擊穿電壓都要比鍺管高。硅管的B VcBo-般在幾十伏至幾百伏，高至上千伏。鍺管的B VBo -般最高只能做到幾十伏至百伏左右。所以在電源電壓比較高的應(yīng)用場合，最好選用硅管。但是B V~ac)與上述情況有所不同，由于絕大多數(shù)硅管采用平面擴(kuò)散工藝，使得硅管的BVEBo大多在5～7V之間。而鍺低頻管都采用合金工藝，其B VBO-般可達(dá)到幾十伏。鍺高頻管和開關(guān)管大多采用合金擴(kuò)散工藝，其BVEBo

只有1V左右。在開關(guān)電路中，當(dāng)發(fā)射極基極間的信號反峰電壓較高時，應(yīng)注意B%”的數(shù)值是否滿足要求。初學(xué)者往往以為硅管擊穿電壓高而忽視B V口o的數(shù)值。另外，由于硅管的BⅥm電壓大多在5～7V之間，又由于硅管的輸入特性較陡直，可似利用這一特性來代替5～7V的小功率穩(wěn)壓管。