圖2 - 68 (a)為PNP晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖，它由兩個背靠背的PN結(jié)構(gòu)成，我們用b 7表示管子內(nèi)部兩個PN結(jié)的連接點，以區(qū)別于基極引線端b。HAT2052T由于基區(qū)很薄并且摻雜少，因此從基區(qū)內(nèi)部到管子外部就有一個不能忽略的體積電阻，用符號r“表示。在晶體管手冊

中往往用符號rb表示。

   如圖2 - 68所示電路中，當晶體管的集電極和發(fā)射極之間加電壓UCE時，則集電結(jié)的反向電壓很高，于是基區(qū)的少數(shù)載流子（空穴）和集電區(qū)的少數(shù)載流子（自由電子，以下簡稱電子）分別流向?qū)Ψ�，這就形成了集電極反向飽和電流I(BO。

   這時因基極開路，I㈣，在基極回路沒有通路，于是由于基區(qū)失去空穴而又注入電子，使基區(qū)失去電中性，迫使基區(qū)電位下降，致使基極和發(fā)射極之間存在著電位差，這個電位差對發(fā)射結(jié)來說正好是正向電壓，U品，。這樣發(fā)射區(qū)便向基區(qū)發(fā)射空穴，其中一少部分空穴在基區(qū)中復(fù)合而形成基區(qū)復(fù)合電流矗，而絕大部分空穴被集電極收集形成I。

   根據(jù)晶體管放大原理則I一pl/。在基區(qū)復(fù)合的這部分空穴正好彌補由于ICB(，在基區(qū)所造成的電荷不平衡，從而滿足基區(qū)的電中性，所以E—J㈣，。這集電極的反向電流即為穿透電流，即ICEO一ICBO +prCBO一(i+p)，㈣）。所以ICEO>ICB()。

   如果基極與發(fā)射極短路，如圖2 - 68 (b)所示，則ICB()將被基極回路分出一部分電流Ib，如圖2- 68 (b)所示。

   因為ICBO在溫度不交的情況下是一個定值，因此分流以后剩下的部分就比圖2- 68 (a)中的瓦少了，設(shè)為髭但它仍會造成基區(qū)電位的下降，不過下降的程度比基極開路時小，也就是發(fā)射結(jié)正向電壓比基極開路時小得多了，因而這時集電極的反向電流ICES—ICBO十prL<ICEO但ICES>ICB()。

   根據(jù)前面的道理，如果基極與發(fā)射極接有電阻R，那么這時基極回路電阻變?yōu)镽+rl“，自然會使基極回路對ICB(，的分流減小。當然ICER>ICES。因此綜合上述情況，集電極反向電流存在著ICBO<ICES<ICER<ICEO的關(guān)系。