電壓B UBo、BUCE【，、BUc ES、BUc ER稱(chēng)為晶體管的擊穿電壓，四種晶體管擊穿電壓分別介紹如下：

   (1) BUBo。BUo為發(fā)射極開(kāi)路時(shí)， HAT2158T集電極與基極間的擊穿電壓。如圖2- 66 (b)所示，當(dāng)集電極和基極間加反向電壓UCB時(shí)，集電極反向電流為ICE,O。反向電壓在一定范圍內(nèi)變化時(shí)，I。m基本上保持不變。但當(dāng)UCB增加到一定值時(shí)，反向電流急劇上升，此現(xiàn)象稱(chēng)為擊穿現(xiàn)象。這時(shí)的反向電壓就以B Uo表示。

   (2) BUCEO。BUCEO為基極開(kāi)路時(shí)，集電極與發(fā)射極間的擊穿電壓。如圖2- 66 (b)所示，當(dāng)UCE超過(guò)一定值時(shí)，ICF,O急劇上升，此時(shí)反向電壓以BUc EO表示。

   (3) BUCFJS。BUcES為基極和發(fā)射極短路時(shí)，集電極與發(fā)射極間的擊穿電壓，如圖2- 67(a)所示，當(dāng)UCE超過(guò)一定值時(shí)，ICES將急劇上升，此時(shí)反向電壓以BUc磷表示。

   (4) BUCER。BUc ER為基極和發(fā)射極接有電阻R時(shí)，集電極與發(fā)射極間的擊穿電壓。同上面一樣，如圖2 - 67 (b)所示，當(dāng)UCE超過(guò)一定值時(shí)，ICER急劇上升，此時(shí)的反向電壓以B UER表示。

   通過(guò)了解晶體管擊穿原理，可以了解上述四種晶體管擊穿電壓之間的關(guān)系。例如，PNP型管的擊穿電壓B UcBO，就是當(dāng)形成反向電流ICBO的集電區(qū)的電子和基區(qū)的空穴，在通過(guò)集電結(jié)的過(guò)程中碰撞集電結(jié)中的原子，一個(gè)載流子（電子或空穴）可以撞出原子最外層軌道上的電子，結(jié)果產(chǎn)生一對(duì)新的載流子，這時(shí)新的載流子又繼續(xù)碰撞其他原子，如同雪崩一樣使電流發(fā)生劇增，稱(chēng)為雪崩擊穿。發(fā)生這種現(xiàn)象時(shí)的UCB就是BUa30。

   由于ICBO<ICES<ICER<ICEO．顯然底數(shù)比較大的反向電流，達(dá)到雪崩擊穿時(shí)的擊穿電壓自然比較小，因此存在著B(niǎo) UCB()>BUCES>B UCER>B UCEO的關(guān)系。