單結(jié)晶體管是一種半導(dǎo)體器件，它有HBFP-0405-TR1結(jié)和三個(gè)電極——一個(gè)發(fā)射極和兩個(gè)基極，所以又稱為雙基極二極管。單結(jié)晶體管具有一種重要的電氣性能——負(fù)阻特性，利用它的這一特性，可以組成弛張振蕩器、自激多諧振蕩器、階梯波發(fā)生器以及定時(shí)電路等多種脈沖單元電路，并使這些電路的結(jié)構(gòu)大大簡化。

   單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)如圖2 - 74 (a)所示，在一塊高電阻率的N型硅片兩端，制作兩個(gè)歐姆接觸電極（接觸電阻非常小，純電阻接觸電極），分別叫做第一基極Bi和第二基極B2，硅片的另一側(cè)靠近第二基極B2處制作了一個(gè)PN結(jié)，在P型半導(dǎo)體上引出的電極叫做發(fā)射極E。為了便于分析單結(jié)晶體管的工作特性，通常把兩個(gè)基極B，和B2之間的N型區(qū)域等效為一個(gè)純電阻RBB，稱為基區(qū)電阻。R膃的阻值通常在2～lOkQ范圍內(nèi)。