反向擊穿區(qū)。當(dāng)=極管上外加的反向電壓高到一定值時(shí)，有可能因外加的電場過強(qiáng)而把被束縛在PN結(jié)中的電子強(qiáng)行拉出，使少數(shù)載流子數(shù)目劇增，P4KE110A也可能由于強(qiáng)電場引起電子與原子碰撞，產(chǎn)生大量新的載流子，這兩種因素都會引起反向電流的急劇增大，稱為電擊穿，這時(shí)二極管的工作狀態(tài)就進(jìn)入了反向擊穿區(qū)，即圖3 - 25中的CD段。

   二極管開始出現(xiàn)電擊穿的電壓叫做反向擊穿電壓，不同二極管特性曲線是不同的，下面是幾種二極管特性曲線的比較。

   圖3 - 28 (a)為鍺二極管2AP1、2AP4、2AP24的伏安特性曲線，從這三條曲線上可以看出：它們的死區(qū)電壓和反向電流都大致相等；在加同樣的正向電壓時(shí)，2AP23的正向電流大，2AP1的正向電流小，2AP4的正向電流中等；2AP4的反向擊穿電壓高，2API的

反向擊穿電壓低，2AP23的反向擊穿電壓中等。圖3-28 (b)為幾種硅二極管2CP1、2CP2和2CPIA特性曲線的比較。