伏安特性。紅外發(fā)P4KE12光二極管的伏安特性如圖3- 30 (a)所示，由圖可見，它和普通二極管的特性十分相似。

   圖3- 30紅外二極管的伏安特性和輸出特性曲線

   紅外發(fā)光二極管的正向壓降U，與所用材料及通過的正向電流有關(guān)。砷化鎵紅外發(fā)光二極管的正向壓降在1～2V;小功率管的正向壓降在1～1. 3V;中功率管的正向壓降在1.6～1. 8V;大功率管的正向壓降≤2V。在使用時(shí)應(yīng)注意驅(qū)動(dòng)電源電壓的數(shù)值應(yīng)大于紅外發(fā)光二極管的正向壓降UF，否則不能克服死區(qū)電壓產(chǎn)生的正向電流IF。

   紅外發(fā)光二極管的反向擊穿電壓UR較低，約為5～30V。因此，使用中要注意其反向電壓不得超過5V，否則可能造成元器件損壞。所以，在實(shí)際使用中需加限流電阻予以保護(hù)。