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單結晶體管及其工作特性

發(fā)布時間:2015/1/26 23:31:55 訪問次數:1286

   單結晶體管是一種半導體器件,它有一個PN結和三個電極——一個發(fā)射極和兩個基極,AD7865BSZ-1所以又稱為雙基極二極管。單結晶體管具有一種重要的電氣性能——負阻特性,利用它的這一特性,可以組成弛張振蕩器、自激多諧振蕩器、階梯波發(fā)生器以及定時電路等多種脈沖單元電路,并使這些電路的結構大大簡化。

   單結晶體管的結構如圖2 - 74 (a)所示,在一塊高電阻率的N型硅片兩端,制作兩個歐姆接觸電極(接觸電阻非常小,純電阻接觸電極),分別叫做第一基極Bi和第二基極Bz,硅片的另一側靠近第二基極B2處制作了一個PN結,在P型半導體上引出的電極叫做發(fā)射極E。為了便于分析單結晶體管的工作特性,通常把兩個基極Bi和B2之間的N型區(qū)域等效為一個純電阻RBB,稱為基區(qū)電阻。RB13的阻值通常在2~lOkC2范圍內。

     


   單結晶體管是一種半導體器件,它有一個PN結和三個電極——一個發(fā)射極和兩個基極,AD7865BSZ-1所以又稱為雙基極二極管。單結晶體管具有一種重要的電氣性能——負阻特性,利用它的這一特性,可以組成弛張振蕩器、自激多諧振蕩器、階梯波發(fā)生器以及定時電路等多種脈沖單元電路,并使這些電路的結構大大簡化。

   單結晶體管的結構如圖2 - 74 (a)所示,在一塊高電阻率的N型硅片兩端,制作兩個歐姆接觸電極(接觸電阻非常小,純電阻接觸電極),分別叫做第一基極Bi和第二基極Bz,硅片的另一側靠近第二基極B2處制作了一個PN結,在P型半導體上引出的電極叫做發(fā)射極E。為了便于分析單結晶體管的工作特性,通常把兩個基極Bi和B2之間的N型區(qū)域等效為一個純電阻RBB,稱為基區(qū)電阻。RB13的阻值通常在2~lOkC2范圍內。

     


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