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改變幾何參數重新計算2016/12/29 20:58:53
2016/12/29 20:58:53
在進行某些I程設計時,需要對模型的某些參數進行修改,對其效果進行再評估,進而IC-PST572GMT-R得到較優(yōu)方案。在Opera3D中,可以方便地直接修改建模時的某些參數,或者對某些參數指定一...[全文]
點場值計算設置對話框2016/12/29 20:50:05
2016/12/29 20:50:05
求空間某一線段上的場值。單擊I具欄的Ficlds>如圖4.1.38所示的線上場值計算設置對話框。在對話框中輸入線段的定義參量。Buffer是用于存儲計算場值的數據寄存器,可任意取名...[全文]
對話框左側為剛剛設定的邊界條件名稱列表2016/12/28 19:45:31
2016/12/28 19:45:31
選擇了該極板所有面后,在主窗口中單擊鼠標右鍵,在彈出的快捷菜單欄中選擇FaccProperties選項,設置該表面的特性參數,彈出如圖4.1.11所示的對話框。表面屬性設置對話框中...[全文]
體網格設置對話框2016/12/27 20:51:32
2016/12/27 20:51:32
先生成面網格,單擊菜單欄命令Mode1一GenerateSurfaceMesh,彈出如圖3.2,16所示的對話框,窗口中的內容與實體中網格劃分參數的含義相同,只是這里是全局設置。M306N4FG...[全文]
模型顯示2016/12/26 20:30:39
2016/12/26 20:30:39
后處理文件打開后形成如圖3,1,32所示的窗口。窗口中顯示的磁體為建模體網格生成時的1/8模型。單擊工具欄的顯示選擇按鈕調整顯示形式,VCA820IDGSR彈出的模型顯示設置對話框...[全文]
用波特圖儀觀察電壓放大倍數的頻率特性2016/12/23 20:18:56
2016/12/23 20:18:56
用波特圖儀觀察電壓放大倍數的頻率特性①增加波特圖儀:單擊虛擬儀表I具欄的波特圖儀按鈕,移動光標至電路窗口的右側后單擊,EL1501CM波特圖儀圖標出現在電路窗口中。②...[全文]
在電路窗口中放置元件2016/12/22 22:08:18
2016/12/22 22:08:18
在電路窗口中放置元件從元器件庫中取出所需的所有元件放到合適的位置,如圖G32所示。圖中元件只是按照圖C,31所示電路中的元件類型和數量取出放置,元件屬性及所放置的位置和方向還有待修...[全文]
NI MuItisim13的基本操作界面 2016/12/22 21:10:56
2016/12/22 21:10:56
-、主窗口啟動NIMulti⒍m13,彈出如圖C.1(a)昕示的界面.即NIMultisim13的基本操作界面,該界面主要由電路丁作區(qū)、T具欄、儀器儀表欄、狀態(tài)欄、仿真開關等組成。...[全文]
CMOS集成電路的主要特點有2016/12/21 21:13:18
2016/12/21 21:13:18
CMOS集成電路的主要特點有:(1）具有非常低的靜態(tài)功耗。M1-65162-9在電源電壓Vtsc=5V時,中規(guī)模集成電路的靜態(tài)功耗小于100uw。(2)具有非常高的輸...[全文]
垂直系統的【Positioll,旋鈕和【Volts/DIV】旋鈕的應用2016/12/18 19:26:46
2016/12/18 19:26:46
垂直系統的【Positioll,旋鈕和【Volts/DIV】旋鈕的應用①垂直【Positol△】旋鈕作用G5920TP1U●此旋鈕可調整所有通道(包括Math)波形的...[全文]
測試74LS194雙向移位寄存器的邏輯功能2016/12/15 20:55:10
2016/12/15 20:55:10
測試74Ls194雙向移位寄存器邏輯功能的電路圖如圖21.3所示。按圖21,3和下面實驗要求接線:FDG6321C(1)頁D(CIR)、S1、S。、SI'、SR、D、C、B、A分別...[全文]
Rs觸發(fā)器組成無抖動的開關2016/12/15 20:40:34
2016/12/15 20:40:34
實驗內容1,用基本RS觸發(fā)器組成一個無FDC6330L抖動的開關(或稱消除抖動開關)電路連接如圖⒛,4所示,使用邏輯開關作為RD、sD端的控制輸入。2....[全文]
測量差模電壓放大倍數2016/12/11 16:27:46
2016/12/11 16:27:46
斷開直流電源,將信號發(fā)生器的輸出端接放大器輸入端A,地端接放大器輸人端B,構成GE24I18-P1J雙端輸人方式(注意:此時信號源浮地),調節(jié)輸入信號頻率F=1kHZ的正弦信號,輸出旋鈕旋至零,...[全文]
中頻電源的負載對象各式各樣2016/12/9 20:19:42
2016/12/9 20:19:42
中頻電源的逆變器主要有并聯逆變器和串聯逆變器,串聯逆變器輸出可等效為一低阻抗的電壓源,G2RL124VDC當兩電壓源并聯時,相互間的幅值、相位和頻率不同或波動時將導致很大的環(huán)流,以至逆變器件的電...[全文]
采用零電壓掃頻啟動電路的中頻電源不好啟動2016/12/7 22:00:36
2016/12/7 22:00:36
故障現象:采用零電壓掃頻啟動電路的中頻電源不好啟動。故障分析及處理:GD25LQ80BUIGR針對故障現象應對下述部位進行檢查。(1)檢查掃頻起始頻率選擇得是否合適,...[全文]
區(qū)分硅晶體管與鍺晶體管2016/12/1 22:08:56
2016/12/1 22:08:56
區(qū)分硅晶體管與鍺晶體管將萬用表撥至R×1k擋。對于PNP型管,黑表筆接發(fā)射極e,紅表筆接基極b,給發(fā)射極接上正向電壓。MAX202IPW鍺管發(fā)射結正向導通電壓σk=0.15~0.3...[全文]
輸人電阻和零電流2016/11/27 17:27:27
2016/11/27 17:27:27
輸人電阻和零電流。數字式萬用表的輸入電阻過低或零電流過高都會引起測量誤差,EP1S10B672C6關鍵要看測量裝置所允許的極限值是多少,即要看信號源的內阻大小。信號源阻抗高時應選擇高輸入阻抗、低...[全文]
我國政府高度重視半導體照明技術創(chuàng)新與產業(yè)發(fā)展2016/11/18 21:53:44
2016/11/18 21:53:44
半導體照明是21世紀最具發(fā)展前景的高新技術領域之一,將促進世界照明工業(yè)的轉型及新興照明產業(yè)的崛起,HMC199AMS8E成為轉變經濟發(fā)展方式、提升傳統產業(yè)、促進節(jié)能減排、實現社會經濟綠色可持續(xù)發(fā)...[全文]
最切實可行的陷阱分布描述方式是緊鄰電子導帶處的數學指數描述2016/11/15 22:16:00
2016/11/15 22:16:00
以上兩個公式表明,這類材料的電流取決于材料的厚度。實際上,在高電壓時,一般AD8539ARZ-REEL7注入的電荷載流子密度大于990,貝刂該電流定律就變得適用,它與歐姆定律之間存在偏差。相反,...[全文]
實驗測量法2016/11/12 21:16:19
2016/11/12 21:16:19
常用測量方法主要有熱電偶法、電學參數法、紅外熱成像法三類。熱電偶KHU1S041Q4LF法是用單個熱電偶逐點或用多路熱電偶同時采集單點或多點溫度的方法。雖然熱電偶的測溫結點尺寸較小,便于將其固定...[全文]
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