- 數(shù)據(jù)傳送類指令 2016/7/10 17:56:23 2016/7/10 17:56:23
- 數(shù)據(jù)傳送是單片機最基本的操作。數(shù)據(jù)傳JCM5039送的一般功能是將源操作數(shù)傳送到指令所指定的目的操作數(shù),指令執(zhí)行后,源操作數(shù)不變。數(shù)據(jù)傳送類指令一般不影響標志位。數(shù)據(jù)傳送類指令共⒛條,可以分成兩...[全文]
- 詳細講述了存儲器系統(tǒng)的擴展技術(shù)2016/7/8 20:50:13 2016/7/8 20:50:13
- 本章介紹了只讀存儲器ROM、隨機存H7ET-N1-B取存儲器RAM及Flash存儲器的基本原理、特點及類別,詳細講述了存儲器系統(tǒng)的擴展技術(shù)。(1)只讀存儲器ROM:把信息寫入以后,...[全文]
- 部分譯碼2016/7/7 22:17:34 2016/7/7 22:17:34
- 全譯碼是將其余的全部高位地址線經(jīng)過譯碼器譯碼以后作為各芯片的片選信號,若只將A2S60-A1-RH高位地址線的一部分經(jīng)過譯碼器譯碼以后作為各芯片的片選信號,這樣的片選方式稱為部分譯碼。例如,要用...[全文]
- 在工作電壓下測量樣品的泄漏電流2016/7/3 17:49:59 2016/7/3 17:49:59
- 1.初測在工作電壓下測量樣品的泄漏電流,NT407F泄漏電流大于11IA的樣品,不用于下一步的試驗過程。2.溫度和恒定電壓應(yīng)力試驗的溫度應(yīng)力選擇在85~...[全文]
- 柵極應(yīng)力電壓選擇2016/7/3 17:39:38 2016/7/3 17:39:38
- 1.柵極應(yīng)力電壓選擇選定漏極應(yīng)力電壓,需確定NDP7061最壞的柵極應(yīng)力電壓,該電壓可能出現(xiàn)在最大襯底電流附近,或者是/Gs=‰s,%s〓‰s/2處。最壞柵極應(yīng)力電壓會導致器件最大...[全文]
- 熱載流子注人效應(yīng) 2016/7/3 17:33:23 2016/7/3 17:33:23
- 熱載流子是指其能量比費米能級大幾個kT以上的載流子,這些載流子與晶格不處于熱平衡狀態(tài)。NDP6060載流子通過聲子發(fā)射把能量傳遞給晶格,這會造成在si/so2界面處能鍵的斷裂,熱載流子也會注入s...[全文]
- 恒定電場等比例縮小規(guī)則2016/6/29 21:02:19 2016/6/29 21:02:19
- 恒定電場等比例縮小規(guī)則的基本出發(fā)點是在器件橫向和縱向尺寸縮小的同時,H5TQ2G83EFR-PBC將其電壓按同一比例因子α縮小,目的是保持在縮小的器件中電場形態(tài)與在原先的器件中一樣。...[全文]
- 國外MPW服務(wù)情況2016/6/28 21:38:10 2016/6/28 21:38:10
- 世界上集成電路研發(fā)領(lǐng)先的國家與地區(qū),均提供MPW多項目晶圓服務(wù)。目前ADE7758ARWZ國外實施的MPW計劃主要有美國的MOsIs(Mctal-0xidc-semiconductor-Impl...[全文]
- 亞微米CM0s工藝斜坡?lián)舸╇妷号c壽命時間2016/6/27 22:10:02 2016/6/27 22:10:02
- 對于斜坡上升速率為0.5MV/(cm・s)時的測量數(shù)據(jù),擊穿電流設(shè)置在100mA/cm2,即1zOILA時,BP3105斜坡步進時間是0,056s,斜坡步進電壓是0.05V,柵氧化...[全文]
- 對于威布爾分布的統(tǒng)計分析2016/6/23 22:00:34 2016/6/23 22:00:34
- 對于威布爾分布的統(tǒng)計分析,其包含兩個方面:參數(shù)估計和分布假設(shè)檢驗。對ADM1088AKS-REEL7于參數(shù)估計,它指的是在假定產(chǎn)品壽命服從威布爾分的情況下,利用試驗數(shù)據(jù)給出失效率的估計,它包括完...[全文]
- 外引線的腐蝕2016/6/22 21:22:48 2016/6/22 21:22:48
- 引腳材料多用柯伐,它是鐵一鎳鉆的合金,其線膨脹系數(shù)與鉬相近,使用中常引起腐蝕。Q20025-0059B除了其在機械加工引入應(yīng)力而產(chǎn)生應(yīng)力腐蝕外,還存在電化學腐蝕反應(yīng),當存在Cr等雜質(zhì)離子時,腐...[全文]
- CMOs電路的閂鎖效應(yīng)(Lgch up) 2016/6/22 21:09:32 2016/6/22 21:09:32
- CMOs反相器電路圖及其工藝結(jié)構(gòu)如圖5.⒛所示。從圖中可見,襯底與P阱中分別存在著寄生三極管VT1/VT3與VT2/VT4。當CMOs電路處于正常工作狀態(tài)時,D1FK60如果沒有外來噪聲的干擾,...[全文]
- Roy提出在sio2的粘彈溫度2016/6/21 23:03:17 2016/6/21 23:03:17
- Roy提出在sio2的粘彈溫度(Ⅵs∞clastictcmperaturc)以上生長Sio2是有好處的,因在高溫下so2的粘性減小引入了生長應(yīng)力,在隨后的冷卻過程中應(yīng)力逐步增加。OF280SC5...[全文]
- 各種工藝/器件參數(shù)對NBTI的影響2016/6/21 22:22:55 2016/6/21 22:22:55
- 氫是MOs集成電路氧化層最常見的雜質(zhì),在IC黹刂造的不同階段都有可能被引入到氧化層中,OF140SA100D如氮化沉積和退火過程等。氫在干氧中的濃度大約為1019Gm3,在濕氧中濃度大約為1yO...[全文]
- 漏雪崩熱載流子2016/6/19 19:17:14 2016/6/19 19:17:14
- 漏雪崩熱載流子(DAHC,DrainAvalanchcHotCa△icr)-由漏端強電場導致的雪崩倍增效應(yīng)引起的電子從溝道獲得足夠高的能量,ESD5Z7.0T1G經(jīng)碰撞電離后產(chǎn)生電...[全文]
- 熱載流子注入效應(yīng)的產(chǎn)生機理2016/6/19 19:03:40 2016/6/19 19:03:40
- 熱載流子注入效應(yīng)的產(chǎn)生機理熱載流子是指其能量比費米能級大幾個kT以上的載流子,這些載流子與晶格不處于熱平衡狀態(tài),ESD5Z12T1G當其能量達到或超過Si/sio2界面勢壘時(對電...[全文]
- CMOs集成電路的基本制造工藝2016/6/18 20:41:27 2016/6/18 20:41:27
- CMOs集成電路的基本制造工藝0.18umェ藝為CMOS工藝發(fā)展的一個關(guān)鍵節(jié)點。在0.18um以上,CMOS工藝的隔離方式OP2177ARZ-REEL是采用局部氧化(Loc時0xi...[全文]
- 水氣的控制也是非常重要的2016/6/16 20:56:15 2016/6/16 20:56:15
- 水氣的控制也是非常重要的。水蒸氣OP249GS是一種氣體,和其他污染氣體一樣,也會導致多余的反應(yīng)。在晶圓制造廠中加工晶圓時帶有水氣是個嚴重的問題。當有氧氣或水分存在時,硅很容易被氧化。所以控制多...[全文]
- 通常用做阻擋層的金屬是具有高熔點的難熔金屬2016/6/14 20:52:22 2016/6/14 20:52:22
- 通常用做阻擋層的金屬是具有高熔點的難熔金屬。在硅工EL5371IUZ藝中,用于多層金屬化的普通難熔金屬有△、W、%、Mo、Co及Pt。用△作為阻擋層的優(yōu)點是增強鋁合金連線的附著,減小接觸電阻,減...[全文]
熱門點擊
- C51數(shù)據(jù)類型包括字符型
- 熱載流子注入效應(yīng)的產(chǎn)生機理
- 可編程VO擴展接口芯片81C55及其應(yīng)用
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- 對于威布爾分布的統(tǒng)計分析
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- CMOs電路的閂鎖效應(yīng)(Lgch―up)
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