Norlux系列LED的封裝結構采用六角形鋁襯底（直徑為1.25in），發(fā)光區(qū)ECLAMP2388P.TCT位于其中央部位，直徑約為0.375in，可容納40個LED芯片。用鋁板作為熱襯，并使芯片的鍵合引線通過在襯底上做成的兩個接觸點與正極和負極連接。根據(jù)所需輸出光功率的大小來確定襯底上排列芯片的數(shù)目，組合封裝的超高亮度芯片包括AIGaInN和AIGaInP，它們的發(fā)射光可為單色、彩色（RGB）、白色(RGB三基色合成或藍色黃色二色合成)。最后采用高折射率的材料按照光學設計形狀進行封裝，不僅取光效率高，而且還能夠使芯片和鍵合引線得到保護。采用RGB三基色合成白光的組合封裝模組，當混色比為0.43R：0.48G：0.009B時，光通量典型值為lOOlm，CCT標準色溫為4420K，色坐標x為0.3612，y為0.3529。由此可見，這種采用常規(guī)芯片進行高密度組合封裝的功率型LED可以達到較高的亮度水平，熱阻低，具有較高的光輸出功率，并可在大電流下工作。    。

   多芯片組合封裝的大功率LED，其結構和封裟形式較多。Lanina Ceramics公司推出了采用該公司獨有的在金屬基板上低溫燒結陶瓷( LTCC-M)技術封裝的大功率LED陣列；松下公司推出由64只芯片組合封裝的大功率白光LED;曰亞公司推出超高亮度白光LED，其光通量可達6001m，輸出光束為lOOOlm時，耗電量為30W，最大輸入功率為50W，白光LED模組發(fā)光效率達331m/W。我國臺灣VEC公司（國聯(lián)）采用金屬鍵合(Metal Bonding)技術封裝的MB系列大功率LED的特點是：用Si代替GaAs襯底，散熱好，并以金屬黏結層作光反射層，提高了光輸出。