微光夜視技術(shù)從20世紀(jì)30年代開始研究以來，由于社會需求特別是軍事需求的推動(dòng)而得到了非常迅猛的發(fā)展，并以其核心器件光電陰極、電子光學(xué)系統(tǒng)、AN7312電子倍增器件等采用新原理、新技術(shù)、新材料而成為劃分各代微光夜視技術(shù)的主要標(biāo)志。

   像增強(qiáng)器技術(shù)的不斷改進(jìn)，大致經(jīng)歷了5個(gè)主要的技術(shù)發(fā)展階段。

     第一代像增強(qiáng)器。它以使用S20的堿光電陰極，光纖面板耦合傳像，同心球電子光學(xué)系統(tǒng)的三級綴聯(lián)式像增強(qiáng)器為主要標(biāo)志。這一代夜視儀器的主要缺點(diǎn)是像畸變大(15%~25 010)，抗強(qiáng)光能力差，瞄準(zhǔn)精度低（約1.Omrad）。

   第二代像增強(qiáng)器。它以采用微通道板( Mcp)新技術(shù)及亮度自控裝置(ABC)的像增強(qiáng)器為主要特色，提高了像增強(qiáng)器的陰極靈敏度，像畸變減小到20/0 ~3%，有較高的瞄準(zhǔn)精度(0. 25 mrad)，但噪聲較大，影響夜視觀察效果。

   第三代像增強(qiáng)器。它以采用高靈敏度負(fù)電子親和勢光電陰極GaAs和雙冷錮封近貼管型的像增強(qiáng)器為代表，將陰極靈敏度提高到1400 pLa/lm，分辨率達(dá)到501p/mm，視距提高了大約三倍。

   超二代微光夜視技術(shù)是第四個(gè)發(fā)展階段的標(biāo)志。這個(gè)發(fā)展階段主要借鑒了三代微光像增強(qiáng)器先進(jìn)和成熟的光電發(fā)射技術(shù)和晶體生長理論，仍然采用多堿陰極（非GaAs），從而使陰極靈敏度提高到600p,a/lm~7001ia/lm。視距比二代夜視技術(shù)提高了300/0~

50%。當(dāng)然與三代微光技術(shù)相比，還是有一定的差距。

   第四代像增強(qiáng)器是像增強(qiáng)器發(fā)展的第五個(gè)階段。它將光電陰極的波長響應(yīng)延伸到近紅外區(qū)（0.9 p~m~1.6ym）或遠(yuǎn)紅外區(qū)（8pdm~12 y,m），但是仍然采用光電一電光轉(zhuǎn)換、綮焦和像增強(qiáng)技術(shù)。這一代微光技術(shù)的研制成功將會大大加強(qiáng)微光夜視技術(shù)的應(yīng)用。