超二代像增強(qiáng)器與二代、三代像增強(qiáng)器性能的比較
發(fā)布時(shí)間:2015/5/26 19:45:29 訪問次數(shù):3456
超二代像增強(qiáng)器與二代、三代像增強(qiáng)器性能的比較
三代和超二代(高性能超二代)AOT430像增強(qiáng)器是目前國(guó)際上夜視技術(shù)領(lǐng)域最新成果的體現(xiàn),在傳統(tǒng)觀念中,三代像增強(qiáng)器比二代(超二代)應(yīng)有質(zhì)的提高,但由于三代管MCP離子隉擋膜的影響,實(shí)際的性能測(cè)試和觀察效果并非如此,不能單純用幾項(xiàng)指標(biāo)進(jìn)行簡(jiǎn)單的對(duì)比,而應(yīng)從技術(shù)的先進(jìn)程度、實(shí)現(xiàn)的工藝難度及效費(fèi)比等方面進(jìn)行綜合評(píng)價(jià)。超二代微光像增強(qiáng)器(光電陰極材料為SuperS25)是通過對(duì)原有標(biāo)準(zhǔn)二代像管的光電陰極(材料為
S25)的成功改進(jìn)和借鑒了三代像管先進(jìn)和成熟的光電發(fā)射技術(shù)及晶體生長(zhǎng)理論而發(fā)展起來的,使其性能較標(biāo)準(zhǔn)二代倒像式像增強(qiáng)器有了很大提高,如陰極靈敏度、信噪比、分辨率等。表2 -2為典型S25光電陰極和SuperS25光電陰極參數(shù)比較。
表2 -2 S25光電陰極和SuperS25光電陰極參數(shù)比較
從表2-2可以看出,SuperS25的峰值響應(yīng)比S25的提高約30mA/W,同時(shí)從光譜響應(yīng)曲線圖2 -78可以看出,在整個(gè)響應(yīng)范圍內(nèi)大都如此。
表2-3是二代、超二代、三代像增強(qiáng)器的靈敏度參數(shù),圖2- 79為L(zhǎng)ITON公司的二代、三代像增強(qiáng)器光電陰極光譜響應(yīng)曲線。
超二代像增強(qiáng)器與二代、三代像增強(qiáng)器性能的比較
三代和超二代(高性能超二代)AOT430像增強(qiáng)器是目前國(guó)際上夜視技術(shù)領(lǐng)域最新成果的體現(xiàn),在傳統(tǒng)觀念中,三代像增強(qiáng)器比二代(超二代)應(yīng)有質(zhì)的提高,但由于三代管MCP離子隉擋膜的影響,實(shí)際的性能測(cè)試和觀察效果并非如此,不能單純用幾項(xiàng)指標(biāo)進(jìn)行簡(jiǎn)單的對(duì)比,而應(yīng)從技術(shù)的先進(jìn)程度、實(shí)現(xiàn)的工藝難度及效費(fèi)比等方面進(jìn)行綜合評(píng)價(jià)。超二代微光像增強(qiáng)器(光電陰極材料為SuperS25)是通過對(duì)原有標(biāo)準(zhǔn)二代像管的光電陰極(材料為
S25)的成功改進(jìn)和借鑒了三代像管先進(jìn)和成熟的光電發(fā)射技術(shù)及晶體生長(zhǎng)理論而發(fā)展起來的,使其性能較標(biāo)準(zhǔn)二代倒像式像增強(qiáng)器有了很大提高,如陰極靈敏度、信噪比、分辨率等。表2 -2為典型S25光電陰極和SuperS25光電陰極參數(shù)比較。
表2 -2 S25光電陰極和SuperS25光電陰極參數(shù)比較
從表2-2可以看出,SuperS25的峰值響應(yīng)比S25的提高約30mA/W,同時(shí)從光譜響應(yīng)曲線圖2 -78可以看出,在整個(gè)響應(yīng)范圍內(nèi)大都如此。
表2-3是二代、超二代、三代像增強(qiáng)器的靈敏度參數(shù),圖2- 79為L(zhǎng)ITON公司的二代、三代像增強(qiáng)器光電陰極光譜響應(yīng)曲線。
熱門點(diǎn)擊
- 照度均勻度是僅次于平均照度的主要技術(shù)指標(biāo)
- 單色平面波
- 光譜功率分布
- 超二代像增強(qiáng)器與二代、三代像增強(qiáng)器性能的比較
- 圓光柵莫爾條紋
- 波長(zhǎng)調(diào)制
- 在度盤的對(duì)徑方向上安裝兩個(gè)讀數(shù)頭
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推薦技術(shù)資料
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