敏感元件的制備
發(fā)布時間:2015/6/12 18:40:14 訪問次數(shù):1111
選取鉭酸鋰晶體薄片作為紅外探測器的敏感元件,鉭酸鋰晶體因為其較高的居里溫度性能而被稱為高溫鐵電,在過去的30年中, GAL16V8-20HC1電鉭酸鋰晶體以及它的同類晶體都被廣泛地研究。因為其優(yōu)良的鐵電、熱釋電、機(jī)械等物理性能,被廣泛地應(yīng)用在高溫傳感器、壓電晶體、盧光晶體、熱釋電紅外探測器等領(lǐng)域中- 99 ,100];阢g酸鋰晶體的紅外探測器具有從紫外到遠(yuǎn)紅外的寬帶吸收范圍,與量子型探測器相比,它能夠在室溫下工作‘101]。因此,鉭酸鋰晶體在紅外探測器領(lǐng)域中具有可靠的長期應(yīng)用領(lǐng)域。
通常情況下,鉭酸鋰晶片的厚度至小是2001xm,因此,必須減薄鉭酸鋰晶片至厚度為20 }_t,m以內(nèi)。目前,一些典型的減薄方法主要有銑磨、離子刻蝕、離子束蝕刻、濕法刻蝕等方法[102 -加糾。所有的這些方法都需要去除大量的晶體,這將導(dǎo)致大量的晶體被浪費。然而對以上方法進(jìn)行比較,后三種方法速度相對較慢,但是銑磨具有較快的加工速度。
針對這些因素,對于探測器敏感元件的加工工藝流程詳細(xì)描述如圖3 -28所示,描述了鍵合減薄制作紅外探測器的技術(shù)。
當(dāng)敏感元件被減薄后,一層金黑吸收層被沉積在敏感元件的頂層,主要用來提高敏感元件的熱吸收性能作用。紅外輻射通過這層吸收層至敏感元件上,將導(dǎo)致熱釋電材料的溫度改變,因此,根據(jù)熱電效應(yīng)原理,這將產(chǎn)生一個電壓輸出信號。
圖3-28鉭酸鋰晶體薄片敏感元件加工工藝流程
熱電晶片通過減薄等工藝處理后,大塊晶片被切割成2mm×2mm的小塊敏感元件,通過相關(guān)工藝對晶片表面進(jìn)行清洗處理,然后包裝并分類以便敏感元件與殼體的組裝用。
選取鉭酸鋰晶體薄片作為紅外探測器的敏感元件,鉭酸鋰晶體因為其較高的居里溫度性能而被稱為高溫鐵電,在過去的30年中, GAL16V8-20HC1電鉭酸鋰晶體以及它的同類晶體都被廣泛地研究。因為其優(yōu)良的鐵電、熱釋電、機(jī)械等物理性能,被廣泛地應(yīng)用在高溫傳感器、壓電晶體、盧光晶體、熱釋電紅外探測器等領(lǐng)域中- 99 ,100];阢g酸鋰晶體的紅外探測器具有從紫外到遠(yuǎn)紅外的寬帶吸收范圍,與量子型探測器相比,它能夠在室溫下工作‘101]。因此,鉭酸鋰晶體在紅外探測器領(lǐng)域中具有可靠的長期應(yīng)用領(lǐng)域。
通常情況下,鉭酸鋰晶片的厚度至小是2001xm,因此,必須減薄鉭酸鋰晶片至厚度為20 }_t,m以內(nèi)。目前,一些典型的減薄方法主要有銑磨、離子刻蝕、離子束蝕刻、濕法刻蝕等方法[102 -加糾。所有的這些方法都需要去除大量的晶體,這將導(dǎo)致大量的晶體被浪費。然而對以上方法進(jìn)行比較,后三種方法速度相對較慢,但是銑磨具有較快的加工速度。
針對這些因素,對于探測器敏感元件的加工工藝流程詳細(xì)描述如圖3 -28所示,描述了鍵合減薄制作紅外探測器的技術(shù)。
當(dāng)敏感元件被減薄后,一層金黑吸收層被沉積在敏感元件的頂層,主要用來提高敏感元件的熱吸收性能作用。紅外輻射通過這層吸收層至敏感元件上,將導(dǎo)致熱釋電材料的溫度改變,因此,根據(jù)熱電效應(yīng)原理,這將產(chǎn)生一個電壓輸出信號。
圖3-28鉭酸鋰晶體薄片敏感元件加工工藝流程
熱電晶片通過減薄等工藝處理后,大塊晶片被切割成2mm×2mm的小塊敏感元件,通過相關(guān)工藝對晶片表面進(jìn)行清洗處理,然后包裝并分類以便敏感元件與殼體的組裝用。
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