靜電損傷模式包括突發(fā)性失效和潛在性失效。

   1．突發(fā)性失效

   突發(fā)性失效使器件的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)突然劣化，完全失去規(guī)定功能，HCPL-M611-500E通常表現(xiàn)為開路、短路或電參數(shù)嚴(yán)重漂移。如介質(zhì)擊穿，鋁條熔斷，PN結(jié)反向漏電增大甚至擊穿。對(duì)CMOS電路，可因靜電放電而觸發(fā)閂鎖效應(yīng)，器件會(huì)因過大電流而燒毀。    。

   2．潛在性失效

   如帶電體的靜電勢或儲(chǔ)存的能量較低，或ESD回路中有限流電阻存在，一次ESD不足以引起器件發(fā)生突然失效，但它會(huì)在器件內(nèi)部造成一些損傷。這種損傷是累積性的，隨著ESD次數(shù)的增加，器件的損傷閾值（電壓或能量）在降低，其性能在逐漸劣化，這類損傷叫潛在性失效。它降低了器件的抗靜電能力。因此器件不能進(jìn)行抗靜電篩選。