除漏電流增大外，M27C256B-10F1參數(shù)超差失效主要原因是容量超差。在同一溫度和電壓下，失效品隨著時(shí)間增加而容量減小，相應(yīng)損耗角正切值tg8也明顯減小，但當(dāng)減小到一定程度后基本不變。導(dǎo)致容量和損耗的減小是與產(chǎn)品內(nèi)部的物理化學(xué)過(guò)程密切相關(guān)的。由于介質(zhì)氧化膜中存在疵點(diǎn)，在電場(chǎng)作用下，疵點(diǎn)部位電場(chǎng)發(fā)生畸變，從而導(dǎo)致局部擊穿所引起的發(fā)熱，使二氧化錳產(chǎn)生自愈，出現(xiàn)容量和損耗的變化。隨著時(shí)間的增加，自愈次數(shù)和面積越來(lái)越增加，引起電容量的進(jìn)一步減小。但是，缺陷總是有一定的限度，當(dāng)疵點(diǎn)部位自愈得差不多的時(shí)候，其容量減小也就接近于極限。即負(fù)荷時(shí)間再增加，其容量基本上不再減小。在容量減小的同時(shí)，tg8也明顯減小。因?yàn)殡娊怆娙萜鲹p耗tg8= cocr，當(dāng)電容降低時(shí)，必然使tg8降低。特別是隨著Mn02中含氧量的減小，使得Ta2 0s與Mnoz接觸面上的絕緣膜難以形成。另外，自愈后溫度的聚變而引起附近氧化膜出現(xiàn)新的裂痕，實(shí)際上又導(dǎo)致tg8的增加。綜上所述，介質(zhì)中場(chǎng)致晶化比自愈影響大，同樣使得容量減小，漏電流增加。