依據(jù)材料種類， HCF4047薄膜太陽電池可細(xì)分為：微晶硅薄膜硅太陽電池(Thin Film CrystallineSilicon Solar Cell．c-Si)；非晶硅薄膜太陽電池(Thin Film Amorphous Silicon Solar Cell，a-Si)、Ⅱ～Ⅵ族化合物太陽電池（碲化鎘CdTe、硒化銦銅）、Ⅲ～V族化合物太陽電池，如砷化鎵(GaAs)、磷化銦InP、磷化鎵銦InGaP)。除了Ⅲ～V族化合物太陽電池可以利用多層薄膜結(jié)構(gòu)達(dá)到高于30%以上的轉(zhuǎn)換效率外，其他的集中薄膜型太陽電池效率一般多在10%以下。

   Ⅲ～V族化合物太陽電池

   典型的Ⅲ～V族化合物太陽電池為砷化鎵( GaAs)電池，轉(zhuǎn)換率達(dá)到30%以上，這是因為Ⅲ～V族是具有直接能隙的半導(dǎo)體材料，僅僅2 )um厚度，就可在AMl( Air Mass，光線通過大氣的實際距離等于大氣垂直厚度)的輻射條件下吸光97%左右。在單晶硅基板上，以化學(xué)氣相沉積法生長GaAs薄膜所制成的薄膜太陽電池，因效率較高，應(yīng)用在太空中。而新一代的GaAS多接面太陽電池，因可吸收光譜范圍高，所以轉(zhuǎn)換效率可達(dá)到39%以上，是目前轉(zhuǎn)換效率最高的太陽電池種類。另外，它性能穩(wěn)定，壽命也相當(dāng)長。不過這種電池價格昂貴，平均每瓦的價格可高出多晶硅太陽電池數(shù)十倍似上，因此不是民用主流。

   因為具有直接能隙及高吸光系數(shù)，耐反射損傷性佳且對溫度變化不敏感，所以適合應(yīng)用在熱光伏特系統(tǒng)( Thermophotovolaics，TRV)、聚光系統(tǒng)(Concentrator System)及太空三個主要領(lǐng)域。