通過紅外探測(cè)技術(shù)， HEF4511BT檢測(cè)顯示芯片熱分布情況，用來觀察異常擴(kuò)散、針孔或二氧化硅層臺(tái)階處的局部熱點(diǎn)、PN結(jié)不均勻的擊穿點(diǎn)、鍵合處裂紋、金屬膜內(nèi)部的小孔等，以便篩選掉存在嚴(yán)重體內(nèi)缺陷、表面缺陷、熱缺陷的器件。

   功率老化篩選

   功率老化篩選是很有效的一種篩選方法，是高可靠集成電路必須進(jìn)行的篩選手段之一。功率老化通過對(duì)產(chǎn)品施加過電應(yīng)力（電壓或功率）或同時(shí)施加電應(yīng)力與熱應(yīng)力，促使早期失效器件存在的潛在缺陷盡快暴露而被剔除。它能有效地剔除器件制備過程中產(chǎn)生的工藝缺陷、金屬化膜過薄及劃傷和表面沾污等。功率老化篩選試驗(yàn)所采用的溫度可以足常溫，也可以是高溫。對(duì)于常溫，通常提高電應(yīng)力；對(duì)于高溫，通常施加額定電力，其目的是獲得足夠的篩選應(yīng)力。該種篩選方法比較接近產(chǎn)品的實(shí)際工作狀態(tài)，易于暴露工藝過程中所產(chǎn)生的隱藏?fù)p傷和缺陷，因而它是一種比較有效的篩選方法。對(duì)于可靠性要求高的元器件常常把此篩選列入成品前的一道工藝，進(jìn)行100%的篩選，但是，該篩選試驗(yàn)費(fèi)用較大，而且需要專門的功率老化設(shè)備。

   如集成電路的功率老化篩選，通常是將產(chǎn)品置于高溫條件下，施加最大的電壓，以獲得足夠大的篩選應(yīng)力，達(dá)到剔除早期失效產(chǎn)品的目的。所施加的電應(yīng)力，可以是直流偏壓，也可以是脈沖功率應(yīng)力。前者多用于小規(guī)模數(shù)字電路，而后者則用于中、大規(guī)模集成電路，使電路內(nèi)的元器件在試驗(yàn)時(shí)能承受工作狀態(tài)下的最大功耗和應(yīng)力。超功率試驗(yàn)雖然可以縮短老化時(shí)間，但也有可能使器件瞬時(shí)負(fù)載超過最大額定值，使合格器件遭受損傷，甚至發(fā)生即時(shí)劣化或擊穿。有的產(chǎn)品可能暫時(shí)還能工作，但壽命卻縮短了。所以，對(duì)于超功率試驗(yàn)而言，并不是超得越多越有效果，而是應(yīng)選擇一個(gè)最佳的超負(fù)荷量�，F(xiàn)在較一致的方法是對(duì)器件施加最大額定功率，適當(dāng)延長(zhǎng)老化時(shí)間。這是合理的電功率老化篩選

方法。