在進行所有測量時都必須確保無寄生振蕩出現(xiàn)。

   應防止所施加的電壓、電流或DS12C887+功率超過被測器件規(guī)定的極限值，即使是瞬間也不行。測量擊穿電壓時，應采取限流措施，標準擊穿電流不會過大，同時測量時間應盡可能縮短。測量功率器件或裝有功率器件的電路板時，使用的電源應該帶有限流裝置，使限流值接近最高輸出時的峰值電流，以防止測量時因端子間短路和負載短路等意外原因造成器件損壞。

   如果熱效應影響到測量結果，那么測量時間就應盡量縮短。在測量中產生高功耗時（如測量功率晶體管的大電流增益），為防止過熱，必須采用脈沖式或手動觸發(fā)方式。

   器件極限參數(shù)的測試大多帶有破壞性，用戶一般不要測試，由制造廠予以保證。如果用戶確實需要測試，則必須謹慎操作，測試應力應逐漸緩慢增加，一旦出現(xiàn)轉折點或異常信號，要立即減少輸入信號，通常采用示波器或特性圖示儀進行動態(tài)測試和監(jiān)視。

   當測量器件的溫度漂移和時間穩(wěn)定性指標時，所用測量儀器也應具有更高的時間與溫度穩(wěn)定性。

   用于測量高輸入阻抗器件（如CMOS電路）的儀器輸入阻抗和測試夾具的絕緣電阻，必須比被測器件的輸入阻抗高一個數(shù)量級以上。

   利用高溫烘箱做高溫洌試時，烘箱外殼要接地良好。被測器件與加熱電阻絲或遠紅外發(fā)射體之間用接地的鐵板隔開，防止空間靜電場損傷器件。

   低溫測試時，應注意測試過程中器件表面不要出現(xiàn)水汽或凝霜現(xiàn)象。