在抗輻射加固電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中， OP42GS首要的任務(wù)是如何合理地選擇電子元器件。選擇的一般原則是，所選用的器件既能實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的電氣性能指標(biāo)，又具有較好的抗輻射潛力。為了正確地選用抗輻射能力強(qiáng)的電子元器件，掌握以下規(guī)律是十分重要的。應(yīng)該指出的是，這里對(duì)不同器件抗輻射能力的比較是在其他條件相同或相當(dāng)?shù)那疤嵯逻M(jìn)行的，只具有相對(duì)的意義，不要把它們絕對(duì)化。

   1)雙極型器件抗中子輻射的能力差，最敏感的參數(shù)是電流放大系數(shù)hFE; MOS器件抗電離輻射的能力差，最敏感的參數(shù)是閾值電壓VT。MOS場效應(yīng)管的抗中子輻射能力比雙極型晶體管高1～2個(gè)數(shù)量級(jí)，但它的抗電離輻射能力卻比雙極型晶體管低2～3個(gè)數(shù)量級(jí)。

   2)在分立半導(dǎo)體器件中，晶閘管、單結(jié)晶體管和太陽電池的抗輻射能力最差，所以應(yīng)該盡可能避免在輻射環(huán)境中使用此類器件。

   3)在二極管中，隧道二極管的抗輻射能力最強(qiáng)，其次為電壓調(diào)整二極管和電壓基準(zhǔn)二極管，普通的整流二極管最差。

   4)在具有不同的參數(shù)指標(biāo)、結(jié)構(gòu)或管芯材料的雙極型二極管中，大功率晶體管的抗輻射能力優(yōu)于小功率晶體管，高頻晶體管優(yōu)于低頻晶體管，開關(guān)晶體管優(yōu)于放大晶體管，鍺晶體管優(yōu)于硅晶體管，NPN晶體管優(yōu)于PNP晶體管。