在不同類型的器件中，半導(dǎo)體OPA227UA/2K5二極管的抗輻射能力優(yōu)于三板管，結(jié)型場效應(yīng)管的抗輻射能力優(yōu)于雙極型晶體管，由分立器件構(gòu)成的電路的抗電離輻射能力優(yōu)于實(shí)現(xiàn)相同功能的單片集成電路，數(shù)字集成電路的抗中子輻射能力優(yōu)于模擬集成電路。

   在相同類型的器件中，工作頻率越高，工作電流越大，開關(guān)時(shí)間越短，或者額定電源電壓越高，抗輻射能力越強(qiáng)。例如，用相同工藝和材料制作的微處理器電路，要求10V電源的電路比要求5V電源的電路抗輻射能力強(qiáng)，因?yàn)?0V電源有3V的噪聲容限，而5V電源只有1. 5V的噪聲容限。

   在采用不同材料或結(jié)構(gòu)的器件中，采用介質(zhì)隔離的集成電路的抗輻射能力優(yōu)于采用PN結(jié)隔離的集成電路，以藍(lán)寶石為襯底的CMOSlSOS電路或者以絕緣體為襯底的CMOS/SOI電路的抗輻射能力優(yōu)于以硅為襯底的CMOSlSi電路，砷化鎵器件與電路的抗輻射能力優(yōu)于硅器件與電路。

   對于集成電路，在抗中子輻射方面，CMOS/SOS電路最好，其次是CMOSlSi、ECL和NMOS電路，再次是肖特基TTL電路和IzL電路，最差的屬雙極型線性電路。在抗穩(wěn)態(tài)電離輻射方面，ECL電路最好，其次是肖特基TTL電路和I2L電路，再次是CMOS電路，最差的是NMOS電路。在抗瞬態(tài)電離輻射方面，CMOSlSOS咆路最好，

CMOSlSi和I2L電路次之，NMOS、ECL和肖特基TTL電路最差。