在未來，GaAs器件及電路和以絕緣體為襯底的OPA2336PAG4電路是最有發(fā)展前途的抗輻射器件。

   電子元器件的抗中子輻射能力通常用中子通量（也稱中子劑量）來表征，OPA2336PAG4它定義為單位面積物質(zhì)允許通過的中子數(shù)，單位為中子數(shù)／cnl2。電離輻射可分為穩(wěn)態(tài)輻射和瞬態(tài)輻射兩。器件抗穩(wěn)態(tài)電離輻射的能力用總劑量來表征，它定義為單位質(zhì)量的指定材料允許吸收的輻射能量，單位為rad（材料）或Gy(材料)，lrad= 10 -15J（焦耳），lGy=lOOrad。器件抗瞬態(tài)電離輻射的能力則用劑量率來表征，它定義為單位時間內(nèi)指定材料所吸收的能量，單位為rad（材料）／s或Gy(材料)／s。

   在線路設(shè)計中，適當(dāng)提高輻射敏感參數(shù)的設(shè)計容差，可使器件在較高的輻照水平下正常工作。在雙極型電路設(shè)計中，應(yīng)注意提高電流放大系數(shù)九FE的設(shè)計裕量，并且使雙極型晶體管的直流工作點選擇在電流放大系數(shù)矗，。隨集極電流變化的峰值附近。這是因為晶體管在大電流下比在小電流下工作更耐輻射。

   減少電路對器件的輻射敏感參數(shù)的依賴性

   雙極型晶體管的輻射敏感參數(shù)主要是電流增益和存儲時間，MOS器件的輻射敏感參數(shù)主要是閾值電壓。具體方法可以因電路制宜，靈活運(yùn)用。例如，引入較強(qiáng)的負(fù)反饋和適當(dāng)增加電路的工作電流，特別是飽和晶體管的基極驅(qū)動電流，以抵消輻射引起的電路增益衰減和飽和電壓增大的影響。通過邏輯設(shè)計，使電路中大多數(shù)器件在輻射期間處于耐輻射的飽和導(dǎo)通狀態(tài)，至少處于較強(qiáng)的電流注入狀態(tài)，以減輕中子輻射損傷。在TTL電路的設(shè)計中，電路的設(shè)計應(yīng)使其輸出負(fù)載盡量輕，盡量減少扇出數(shù)和扇出電流，以減少對TTL電路輸出晶體管的增益要求．從而提高電路抗中子輻射的能力。