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555集成定時(shí)器

發(fā)布時(shí)間:2015/8/21 22:24:42 訪問次數(shù):744

   555集成定時(shí)器是集模擬和數(shù)字電路于一體的電子器件,外加少量的阻容元件,AD671SD就能構(gòu)成多種用途的電路,如施密特觸發(fā)電路、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路、多諧振蕩器等,在電子技術(shù)中應(yīng)用廣泛。圖2.7.2為555集成定時(shí)器的電路結(jié)構(gòu)圖和引腳排列圖。

   圖2.7.2  555集成定時(shí)器

      

   圖2.7.2(a)的電路結(jié)構(gòu)圖主要由五部分組成:

   (1)由三個(gè)阻值均為5 kQ的電阻串聯(lián)構(gòu)成的分壓器,為電壓比較器C1和C2提供參考電壓。若控制電匝輸入端(CO端,引腳5)不加控制電壓時(shí),該引出端不可懸空,一般要通過一個(gè)小電容(如0.01 UF)接地,以旁路高頻干擾,這時(shí)兩參考電壓分別為VR.=2/3Vc。,VR:=1/3Vc。。若外加控制電壓‰,則比較器Cl、C2的參考電壓分別為VR,=Vco,VR:=1/2Vco。    

   (2)兩個(gè)高增益運(yùn)算放大器C,和C2分別構(gòu)成電壓比較器。Cl的信號(hào)輸入端為運(yùn)放的反相輸入端(TH端,引腳6),Cl的同相端接參考電壓VR,,輸出為Vc.;C2的信號(hào)輸入端為運(yùn)放的同相輸入端(TR端,引腳2),C2的反相輸入端接參考電壓VR2,輸出Vc:。

   (3)兩個(gè)與非門Gi、G2構(gòu)成RS鎖存器,低電平觸發(fā)。比較器Cl和C2的輸出Vc,和VC2控制鎖存器的狀態(tài),也就決定了電路的輸出狀態(tài)。RD是鎖存器的外部復(fù)位端,低電平有效。

   (4)三極管VTD構(gòu)成放電開關(guān),其狀態(tài)受RS鎖存器的Q端控制。當(dāng)Q=l時(shí),VTD飽和導(dǎo)通,此時(shí),放電端(D端,引腳7)如有外接電容,則通過VTD放電。當(dāng)Q=O時(shí),則VTD截止。由于放電端的邏輯狀態(tài)與輸出VO是相同的,故放電端也可以作為集電極開路輸出Vo。


   555集成定時(shí)器是集模擬和數(shù)字電路于一體的電子器件,外加少量的阻容元件,AD671SD就能構(gòu)成多種用途的電路,如施密特觸發(fā)電路、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路、多諧振蕩器等,在電子技術(shù)中應(yīng)用廣泛。圖2.7.2為555集成定時(shí)器的電路結(jié)構(gòu)圖和引腳排列圖。

   圖2.7.2  555集成定時(shí)器

      

   圖2.7.2(a)的電路結(jié)構(gòu)圖主要由五部分組成:

   (1)由三個(gè)阻值均為5 kQ的電阻串聯(lián)構(gòu)成的分壓器,為電壓比較器C1和C2提供參考電壓。若控制電匝輸入端(CO端,引腳5)不加控制電壓時(shí),該引出端不可懸空,一般要通過一個(gè)小電容(如0.01 UF)接地,以旁路高頻干擾,這時(shí)兩參考電壓分別為VR.=2/3Vc。,VR:=1/3Vc。。若外加控制電壓‰,則比較器Cl、C2的參考電壓分別為VR,=Vco,VR:=1/2Vco。    

   (2)兩個(gè)高增益運(yùn)算放大器C,和C2分別構(gòu)成電壓比較器。Cl的信號(hào)輸入端為運(yùn)放的反相輸入端(TH端,引腳6),Cl的同相端接參考電壓VR,,輸出為Vc.;C2的信號(hào)輸入端為運(yùn)放的同相輸入端(TR端,引腳2),C2的反相輸入端接參考電壓VR2,輸出Vc:。

   (3)兩個(gè)與非門Gi、G2構(gòu)成RS鎖存器,低電平觸發(fā)。比較器Cl和C2的輸出Vc,和VC2控制鎖存器的狀態(tài),也就決定了電路的輸出狀態(tài)。RD是鎖存器的外部復(fù)位端,低電平有效。

   (4)三極管VTD構(gòu)成放電開關(guān),其狀態(tài)受RS鎖存器的Q端控制。當(dāng)Q=l時(shí),VTD飽和導(dǎo)通,此時(shí),放電端(D端,引腳7)如有外接電容,則通過VTD放電。當(dāng)Q=O時(shí),則VTD截止。由于放電端的邏輯狀態(tài)與輸出VO是相同的,故放電端也可以作為集電極開路輸出Vo。


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