金屬傳導(dǎo)的另一個(gè)限制就是它只能通過(guò)電子的移動(dòng)來(lái)導(dǎo)電。金屬永遠(yuǎn)是N型的。UA78M33CDCYR通過(guò)摻雜特定的摻雜元素，半導(dǎo)體可以成為N型或者P型。N型和P型半導(dǎo)體可以用電子或者空穴來(lái)導(dǎo)電。在了解傳導(dǎo)機(jī)理之前，r解在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中自由（多余）電子或空穴的形成是有益的。

   為理解N型半導(dǎo)體，如圖2.8所示，將很少量的砷(As)摻入硅(Si)中。假定即使混合后每一個(gè)砷原子也被硅原子所包圍。使用“元素周期表”一節(jié)的規(guī)則，原子試圖通過(guò)在外層有8個(gè)電子來(lái)達(dá)到穩(wěn)定，砷原子表現(xiàn)為與其鄰近的硅原子共享4個(gè)電子。但是，砷來(lái)自第V族，外層有5個(gè)電子，直接的結(jié)果是其中的4個(gè)電子與硅中的電子配對(duì)，最后一個(gè)留下來(lái)。這一個(gè)電子町以作為傳導(dǎo)電子。

   考慮到硅晶體中每立方厘米中有百萬(wàn)個(gè)原子，從而也就有很多電子可以用來(lái)導(dǎo)電．，在硅中，摻雜元素砷、磷和銻會(huì)形成N型硅。

   對(duì)P型材料的理解方法是相同的（見圖2.9）。不同之處在于使用來(lái)自元素周期表中第III族的硼來(lái)形成P犁硅。當(dāng)硼混入硅中，它也與硅原子共享電子。不過(guò)，硼只有3個(gè)外層電子，所以在外層會(huì)有1個(gè)無(wú)電子填充的位置。這個(gè)未填充的位置就稱為空穴( hole)．