半導(dǎo)體材料在其本征狀態(tài)時是不能用于固態(tài)器件的。但是通過一種稱為摻雜( doping)的工藝， UA78M12CKTPR可以把特定的元素引入到本征半導(dǎo)體材料中。這些無素可以提高本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性，摻雜的材料表現(xiàn)出兩種獨特的特性，它們是固態(tài)器件的基礎(chǔ)。這兩種特性是：

   摻雜半導(dǎo)體的電阻率：金屬電阻率的范圍在每歐姆·厘米l04~ 106之間，該范圍的含義可以通過對如圖2.5所示的電阻進行測量得到．如果固定體積的金屬電阻率確定，改變電阻的唯一力‘法是改變金屬的形狀。而在有半導(dǎo)體特性的材料中，電阻率可以改變，從而在電阻的設(shè)計中增加了又…個自由度。半導(dǎo)體就是這樣的材料，其電阻率的范圍叮以通過摻雜擴展到10 I~103之間，、

   半導(dǎo)體材料可以摻雜一些元素以達到一個有用的電阻率范圍，這種材料或者是多電子（N剄）的或者是多空穴（P型）的．、

   圖2.7顯示出摻雜程度與硅的電阻率之間的關(guān)系，、縱坐標(biāo)為載流子濃度是因為材料中的電子或窄穴稱為載流子( carrier)，注意有兩條曲線：N型與P型。這是因為在材料中移動一個電子或空穴所需的能量是不同的j如曲線所示，在硅中要達到指定的電阻率，N型所需摻雜的濃度要比P型��？表示這種現(xiàn)象的另一種方法是移動一個電子比移動一個窄穴的能量要小.