有很多半導(dǎo)體化合物由元素周期表中第II族、第III族、第V族和第VI族的元素形成．、UA79M08CKVURG3在這些化合物中，商業(yè)半導(dǎo)體器件中用得最多的是砷化鎵( GaAs)、磷砷化鎵(GaAsP)、磷化銦( InP)、砷鋁化鎵(GaAIAs)和磷鎵化銦(InGaP)l。、這些化合物有特定的性能2；。，例如，當(dāng)電流激活時，由砷化鎵和磷砷化鎵做成的二極管會發(fā)出可見的激光√它們和其他材料用于電子面板中的發(fā)光二極管( LED)。由于開發(fā)出一系列彩色光的其他化合物，發(fā)光二極管有里

程碑式的增長。

   砷化鎵的一個重要特性就是其載流子的高遷移率。這種特性使得在通信系統(tǒng)中砷化鎵器件比硅器件更快地響應(yīng)高頻微波并有效地把它們轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏鳎?/span>

   這種載流子的高遷移率也是對砷化鎵晶體管和集成電路的興趣所在。砷化鎵器件比類硅器件快兩到三倍，應(yīng)用于超高速計算機(jī)和實(shí)時控制電路（如色機(jī)控制），

   砷他鎵本身就對輻射所造成的漏電具有抵抗性、j輻射（如宇宙射線）會在半導(dǎo)體材料中形成空穴和電子，它會增大不需要的電流，從而造成器件或電路的功能失效或損毀�？梢栽�輻射環(huán)境下工作的器件稱為輻射加固( radiation hardened)器件。砷化鎵是天然輻射加固材料。

   砷化鎵也是半絕緣的。這種特性使鄰近器件的漏電最小化，允許更高的封裝密度，進(jìn)而由于空穴和電子移動的距離更短，電路的速度更快了。在硅電路中，必須在表面建莎特殊的絕緣結(jié)構(gòu)來控制表面漏電。這些結(jié)構(gòu)使用了不少空間并且減少_『電路的密度i，

   盡管有這么多的優(yōu)點(diǎn)，砷化鎵也不會取代硅成為主流的半導(dǎo)體材料。其原因在于性能和制造難度之間的權(quán)衡，，雖然砷化鎵電路非�？欤谴蠖鄶�(shù)的電子產(chǎn)品不需要那么快的速度。在性能方面，砷化鎵如同鍺一樣沒有天然的氧化物。為廠補(bǔ)償，必須在砷化鎵上淀積多層絕緣體。這樣就會導(dǎo)致更長的工藝時間和更低的產(chǎn)量。而且在砷化鎵中半數(shù)的原子是砷，對人類是很危險的。遺憾的是，在正常的工藝溫度下砷會蒸發(fā)，這就額外需要抑制層或者加壓的工藝反應(yīng)室。這些步驟延長了工藝時間，增加了成本。