與砷化鎵有競爭性的材料是鍺化硅( SiGe)。、這樣的結(jié)合把晶體管的速度提高到町以應(yīng)用于超高速的對(duì)講機(jī)和個(gè)人通信設(shè)備當(dāng)中’。UA9636ACDR器件和集成電路的結(jié)構(gòu)特色是用超高真空／化學(xué)氣相沉積法( UHV/CVD)來淀積鍺層。4，、雙極型晶體管就形成在鍺層七，不同于硅技術(shù)中所形成的簡單晶體管，鍺化硅需要晶體管具有異質(zhì)結(jié)構(gòu)( heterostructure)和異質(zhì)結(jié)(heterojum:tion)這些結(jié)構(gòu)有好幾層和特定的摻雜等級(jí)，從而允許高頻運(yùn)行二主要的半導(dǎo)體材料和二氧化硅之間的比較列在圖2. 14中。

   多年來體硅是微芯片制造的傳統(tǒng)襯底。，電性能要求新的襯底，例如像在藍(lán)寶石這樣的絕緣層t：硅( SOI)，金剛石上硅(SOD)。金剛石比硅散熱更好。另一種結(jié)構(gòu)是淀積在鍺硅晶圓卜的應(yīng)變硅層。當(dāng)預(yù)先在絕緣屢E淀積的Si/Ge( SOI)層上淀積硅原子，會(huì)產(chǎn)生應(yīng)變硅、，Si/Ge原子之間間距比正常的硅更寬。在淀積過程中，硅原子對(duì)著Si/Ge原子“伸長”，沾污硅層，電效應(yīng)是降低硅的電阻，使得電子運(yùn)動(dòng)加快70%。這種結(jié)構(gòu)為MOS晶體管的性能帶來廠益處（見第16章）。