集成電路的牛產(chǎn)從拋光硅片的下料開(kāi)始的硅柵MOS晶體管結(jié)構(gòu)所需要的基礎(chǔ)r藝截面圖按順序展示廠構(gòu)成一個(gè)簡(jiǎn)單每一步r藝生產(chǎn)的說(shuō)明如F所示.

   第1步：薄膜工藝。對(duì)晶圓STM32F103VCT6表面的氧化會(huì)形成一層保護(hù)薄膜，它可作為摻雜的阻擋層．這層二氧化硅膜被稱(chēng)為場(chǎng)氧化層( field oxide)，、

   第2步：圖形化工藝。通過(guò)光刻、刻蝕、去膠工藝，在場(chǎng)氧化層上開(kāi)凹孔以定義晶體管的源極、柵極和漏極的特定位置。，

   第3步：薄膜工藝。接下來(lái)，晶圓將經(jīng)過(guò)二氧化硅氧化反應(yīng)加工。晶圓暴露的硅表面會(huì)生長(zhǎng)一層氧化薄膜。它可作為柵極氧化層。

   第4步：薄膜工藝。在這一一步，晶圓上淀積一層多晶硅作為柵極結(jié)構(gòu)。

   第5步：圖形化工藝。通過(guò)光刻工藝，在氧化層／多晶硅層按電路圖形刻蝕兩個(gè)開(kāi)口，它們定義了晶體管的源極和漏極區(qū)域。

   第6步：摻雜工藝。摻雜加工用于在源極和漏極區(qū)域形成N型。

   第7步：薄膜工藝。在源極和漏極區(qū)域生長(zhǎng)一層氧化膜。

   第8步：圖形化工藝。通過(guò)光刻、刻蝕和去膠工藝，分別在源極、柵極和漏極區(qū)域刻蝕形成的孑L，稱(chēng)為接觸孑L。

   第9步：薄膜工藝。在整個(gè)晶圓的表面沉積一層導(dǎo)電金屬，該金屬通常是鋁的合金。

   第10步：圖形化工藝。通過(guò)光刻、刻蝕和去膠工藝，晶圓表面金屬鍍層在芯片和劃片線上的部分按照電路圖形除去。金屬膜剩下的部分將芯片的每個(gè)元件準(zhǔn)碲無(wú)誤地按照設(shè)計(jì)要求互相連接起來(lái)。

   第11步：熱處理工藝。緊隨金屬刻蝕加工后，晶圓將在氮?dú)猸h(huán)境下經(jīng)歷加熱工藝、，此步加工的目的是使金屬與源、漏、柵極進(jìn)一步熔合以獲得更好的電性接觸連接。

   第12步：薄膜工藝。芯片器件上的最后一層是保護(hù)層，通常被稱(chēng)為防刮層( scratch layer)或鈍化層( passivation layer)。它的用途是使芯片表面的元件在電測(cè)、封裝及使用時(shí)得到保護(hù)。

   笫13步：圖形化工藝。通過(guò)光刻、刻蝕和去膠工藝，在整個(gè)工藝加工序列的最后一步是將位于芯片周邊金屬引線壓點(diǎn)上的鈍化層刻蝕掉。這一步被稱(chēng)為壓點(diǎn)掩膜( pad mask).