工藝流程舉例闡述了這4種最基本的工藝方法是如何應(yīng)用到制造一個具體的晶體管結(jié)構(gòu)的。 STM32F103VET6電路所需的其他元件（二極管、電阻器和電容器）也同時在電路的不同區(qū)域上構(gòu)成。比如說，在這個工藝流程下，電阻的圖形和晶體管源／漏極圖形同時被添加在晶圓E。隨后的擴(kuò)散工藝形成源極／柵極和電阻。對于其他形式的晶體管，如雙極型和硅柵MOS晶體管，也同樣是由這4種最基本的工藝方法加工而成的，不同的只是所用材料和藝流程不同。

   總體來說，在制造工藝的前…部分將電路元件形成．被稱為前端工藝線( FEOI。)；在制造工藝的后一部分將連接電路元件的各種金屬化層加到晶圓表面，這一部分被稱為后端I：藝線( BEOI．)。

   現(xiàn)代芯片結(jié)構(gòu)比上述敘述的簡單工藝復(fù)雜許多倍。它們有多薄膜層和摻雜區(qū)，以及表面的數(shù)層，包括散布在介質(zhì)層中間的多層導(dǎo)體層。

   實(shí)現(xiàn)這些復(fù)雜的結(jié)構(gòu)要求許多工藝。換言之，每一個工藝要求數(shù)個步驟和子步驟。實(shí)際仁64CJb CMOS器件的工藝町能需要180個主要步驟、52個清洗／剝離步驟以及多達(dá)28塊掩模版1；。所有這些主要步驟也是這4種基本T．藝之一、

   當(dāng)產(chǎn)業(yè)界的柵條寬度達(dá)到幾個原子和電路上堆疊金屬的水平時，工藝步驟將達(dá)500步或更多.