由經(jīng)驗(yàn)所得出的法則是微粒的大小必須是第一層金屬半個(gè)節(jié)距( half pitch)的l/2.1。 STP10NK80ZFP半個(gè)節(jié)距是相鄰金屬條之間間距的1/2。落

于器件的關(guān)鍵部位并毀壞r器件功能的微粒被稱為致命缺陷( killer def'ect)。致命缺陷還包括晶體缺陷和其他由工藝過程引入的問

題．，在任何晶片上，都存在大量微粒。有些屬于致命性的，而其他一些位于器件不太敏感的區(qū)域則彳：會(huì)造成器件缺陷，2011版國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖( ITRS)良品率增強(qiáng)部分確定缺陷與良品率的相關(guān)性，并開發(fā)更敏感缺陷和污染檢測設(shè)備，作為未來技術(shù)代良品率增強(qiáng)的基礎(chǔ)。

   第2章介紹了半導(dǎo)體器件在整食晶片上N型和P型的摻雜區(qū)域，以及在精確的N和P相鄰區(qū)域，都需要具有可控的電阻率。通過在晶體和晶圓中有目的地?fù)诫s特定的摻雜離子來實(shí)現(xiàn)對這3個(gè)性質(zhì)的控制。非常少量的摻雜物即可實(shí)現(xiàn)我們希望的效果。。但遺憾的是，在晶圓中出觀的極少量的具有電性的污染物也會(huì)改變器件的典型特征，改變它的J：作表現(xiàn)和可靠性參數(shù)。