町以引起上述問題的污染物稱為呵移動(dòng)離子污染物( MIC)。它們是在材料中以離子形態(tài)存在的金屬離子。而且，STP75NF75這些金屬離子在半導(dǎo)體材料中具有很強(qiáng)的可移動(dòng)性。也就是說(shuō)，即便在器件通過了電性能測(cè)試并且運(yùn)送出去，金屬離子仍可在器件中移動(dòng)從而造成器件失效．遺憾的是，能夠在硅器件中引起這些問題的金屬存在于絕大部分的化學(xué)物質(zhì)中（見圖5.4）。j所以，在一個(gè)晶圓卜，MIC污染物必須被控制在10Ⅲ原子/cm2的范圍內(nèi)甚至更少}，、

   鈉是在未經(jīng)處理的化學(xué)品中最常見的可移動(dòng)離子污染物，同時(shí)也是硅中移動(dòng)性最強(qiáng)的物質(zhì)。因此，對(duì)鈉的控制成為硅工藝的首要目標(biāo)。MIC的問題在MOS器件中表現(xiàn)最為嚴(yán)蘑，這一事實(shí)促使一些化學(xué)品生產(chǎn)商研制開發(fā)MOS級(jí)或低鈉級(jí)的化學(xué)品。超純水制造也要求減少M(fèi)IC。

   化學(xué)物質(zhì)：在半導(dǎo)體I：藝領(lǐng)域第一大主要的污染物是不需要的化學(xué)物質(zhì)。丁藝過程中所用的化學(xué)品和水可能會(huì)受到對(duì)芯片工藝產(chǎn)生影響的痕量物質(zhì)的污染。它們將導(dǎo)致晶片表面受到不需要的刻蝕，在器件卜生成無(wú)法除去的化合物，或者引起不均勻的工藝過程氯就是這樣·種污染物，它在工藝過程中用到的化學(xué)品中的含量受到嚴(yán)格的控制。

   細(xì)菌：細(xì)菌是第4類的主要污染物。細(xì)菌是在水的系統(tǒng)中或不定期清洗的表面生成的有機(jī)物、細(xì)菌---曰在器件L-形成，會(huì)成為顆粒狀污染物或給器件表面引入不希望見到的金屬離子．

   空氣中分子污染：空氣中分子污染( AMC)是難捕捉之物的分子，它們從工藝設(shè)備，或化學(xué)品傳送系統(tǒng)，或由材料，或人帶人生產(chǎn)區(qū)域。晶圓從一個(gè)工藝設(shè)備傳送到另一個(gè)能將搭乘分子帶入下一個(gè)設(shè)備。AMC包括在生產(chǎn)區(qū)域使用的全部氣體、摻雜品、加工用化學(xué)．吊，這些町能是氧氣、潮氣、有機(jī)物、酸、堿及其他物質(zhì)-。

   它們?cè)诤挽`敏的化學(xué)反應(yīng)相關(guān)的工藝中危害最大，例如在光刻工藝中光刻膠的曝光時(shí)其他問題包括刻蝕速率的偏離和不需要的雜質(zhì)，這些使器件的電參數(shù)漂移，改變刻蝕劑的濕法刻蝕特性，導(dǎo)致刻蝕不完善4；j。隨著自劫化將更多的設(shè)備和環(huán)境引入到制造工藝中，探測(cè)和控制AMC是不可缺少的。在國(guó)際半導(dǎo)！體技術(shù)路線圖( ITRS) 2011版中確定一個(gè)關(guān)注的來(lái)源，在良品率增強(qiáng)章節(jié)是前面開口通用容器( FOUP)、、在這些放晶圓容器中的塑料材料是排放AMC的一個(gè)來(lái)源。