雙層門進(jìn)出通道：維修HEF4520BTR區(qū)還可作為次凈化間來儲存物料和供給，它們通過雙層進(jìn)出通道進(jìn)入凈化間，這呵保持凈化間的潔凈度。進(jìn)出通道可以是一個(gè)雙層門的盒子，或者是供給正壓過濾空氣，并有防止進(jìn)出門同時(shí)打開的互鎖裝置。通常進(jìn)出通道裝HEPA過濾器，所自‘進(jìn)入凈化間的物品與設(shè)備都需在進(jìn)入前經(jīng)過凈化。    

   靜電控制：亞微米級品圓集成電路越密，就越容易收到靜電吸附到晶圓表面的較小微粒的影響。靜電可產(chǎn)生于晶圓、存儲盒、工作臺表面與設(shè)備上。這些物體表面叮產(chǎn)生高達(dá)50 000 V的靜電電壓，它可從空氣和工作服中吸附塵埃。這些塵�？晌廴镜骄A，而且靜電吸附的顆粒很難用標(biāo)準(zhǔn)的刷子或濕洗的方法去除。

   大多數(shù)靜電都是由摩擦（triboelectric）產(chǎn)生的。當(dāng)兩個(gè)原本為1體的物體分開時(shí)就會產(chǎn)乍靜電、，物質(zhì)一面因損失電子而帶正電，另一面因得到電子而帶負(fù)電。圖5. 17表示r存凈化間中的物質(zhì)經(jīng)過摩擦后而產(chǎn)生的正負(fù)靜電表1…!。

   靜電還會對電子元器件的性能有影響．特別是對MOS柵極的電介質(zhì)層的影響，靜電放電電流(E SD)會產(chǎn)生高達(dá)10 A的電流。這種級別的ESD可損壞MOS管與電路。、ESD對元件的封裝區(qū)域也有特別的影響，這樣就要求在敏感的元器件，如大矩陣內(nèi)存的加工和運(yùn)輸中采用防靜電裝置。