污染控制的成功與否與確認(rèn)污染源是息息相關(guān)的。許多分析（見圖5. 23】顯示機(jī)械設(shè)備是最大的微粒污染源。到了20世紀(jì)90年代，RT9164APG設(shè)備引發(fā)的微粒升至所有污染源的75%至90%，但這并不意味機(jī)械設(shè)備變得越來越臟I25i。由于對空氣、化學(xué)品與生產(chǎn)人員污染的控制越來越先進(jìn)，使得設(shè)備變?yōu)槲廴究刂频慕裹c(diǎn)。缺陷產(chǎn)生率是設(shè)備生產(chǎn)規(guī)格的一部分。一般來講，每片晶圓每次通過設(shè)備后增加的顆粒個(gè)數(shù)( ppp)是有詳細(xì)說明的，并使用每片晶圓每次通過的顆粒增加數(shù)( PartiCles per Wafer Pass，PWP)這一術(shù)語。

   微粒產(chǎn)生率的降低要從設(shè)計(jì)方法與材料的選擇人手。其他因素包括顆粒進(jìn)入晶圓與淀積反應(yīng)的機(jī)械裝置的傳播方法，例如靜電。大多數(shù)設(shè)備是在與客戶的晶圓制造廠相同潔凈度的凈化間制造的。一組不同的工藝設(shè)備共享同-個(gè)潔凈局部裝卸空間可以降低使用多個(gè)裝卸站所產(chǎn)生的污染。多反應(yīng)室的設(shè)備將在第15章討論。有一種趨勢是在工藝反應(yīng)室配備現(xiàn)場( in situ)的微粒監(jiān)視器。