更小的特征工藝尺寸從麗個主要方面使維持一個可以接受的晶圓電測良品率變得更困難。K2210604第一，較小圖像的光刻比較困難（見6.4.4節(jié)和第8章）。第二，更小的圖像對更小的缺陷承受力很差，對整體的缺陷密度的承受力也變得很差．、小特征工藝尺寸對允許缺陷尺寸的10：1定律已經(jīng)被討論過廠。一項評估指出，如缺陷密度為每平方厘米1個缺陷，特征工藝尺寸為0. 35 ht,m的電路的晶圓電測良晶率會比相同條件下的0.5 ym電路低lOO。

   工藝制程周期

   晶圓在生產(chǎn)中實際處理的時間可以用天來計算。但是由于在各工藝制程站的排隊等候和r藝問題引起的臨時性減慢，晶圓通常會在生產(chǎn)區(qū)域停留幾個星期。晶圓等待時間越長，受到污染而導(dǎo)致電測良品率降低的可能性就越大。向即時生產(chǎn)方式的轉(zhuǎn)變（見第15章）是·種提高良品率及降低卣生產(chǎn)線存量增加帶來的相關(guān)成本的嘗試。

   晶圓電測良品率公式

   理解及較為準(zhǔn)確地預(yù)測晶圓電測良品率的能力是對一個贏利日．可靠的芯片供應(yīng)商的基本要求，，多年來，許多把工藝制程、缺陷密度和芯片尺寸參數(shù)與晶圓電測良品率聯(lián)系起來的模型被開發(fā)出來廠5。圖6. 12給出了5種良品率模型的公式．．每一種將不同的參數(shù)和晶吲電測良品率聯(lián)系起來。隨著芯片尺寸的增大，工藝制程步驟的增加，以及特征工藝尺寸的減小，芯片對較小缺陷的敏感性增加了，并且更多的背景缺陷變成J-致命缺陷。