RTP的應(yīng)用減少了工藝所需的熱預(yù)算(thermal budget)。每次在擴(kuò)散溫度附近加熱，使晶圓OMAP330BZZG中的摻雜區(qū)向下或向旁邊擴(kuò)散（見(jiàn)第1 1章），，每次晶圓的加熱或冷卻都會(huì)產(chǎn)生更多晶格位錯(cuò)（見(jiàn)第3章）。因此，減少加熱的總時(shí)間可以使設(shè)計(jì)的密度增加，減少由位錯(cuò)引起的失效。

   另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是單片工藝。隨著晶圓的直徑越來(lái)越大，對(duì)均勻度的要求使得許多工藝最好采用單片工藝的設(shè)備，，

   RTP技術(shù)對(duì)于MOS柵極中薄的氧化層的生長(zhǎng)是一種自然而然的選擇。由于晶圓t：的尺、t越來(lái)越小的趨勢(shì)使得加在晶圓上的每層厚度越來(lái)越薄。厚度減少最顯著的是柵極氧化層、，先進(jìn)的器件要求柵極厚度在io A范圍內(nèi)。如此薄的氧化層對(duì)于傳統(tǒng)的反應(yīng)爐來(lái)說(shuō)，由于需要氧氣的快速供應(yīng)和快速排出，有時(shí)變得很難控制。RPT系統(tǒng)快速升溫降溫可以提供所需的控制能力。用于氧化的RTP系統(tǒng)也稱為快速熱氧化(Rapid Thermal Oxidation，RTO)系統(tǒng)。它

tj退火系統(tǒng)很相似，只是用氧氣代替_『惰性氣體÷圖7. 24顯示廠-個(gè)典型的RTO工藝中時(shí)間一溫度厚度之間的關(guān)系。