其他應(yīng)用RTP技術(shù)的工藝包括：濕氧化膜（水蒸氣）生長、局部氧化生長、離子注OP07CP入后的源極／漏極的活化，I．PCVD多晶硅，非晶硅，鎢，硅化物接觸，LPCVD氮化物和1．PCVD氧化膜烈’  RTP系統(tǒng)用于常壓、低壓以及超高真空設(shè)計(jì)。、

   在輻射反應(yīng)腔內(nèi)，對(duì)晶圓溫度控制與反應(yīng)爐管是不同的。在RTP系統(tǒng)中，晶圓決不叮能達(dá)到熱穩(wěn)定、這個(gè)問題在晶圓邊緣尤為嚴(yán)鶯。另t一個(gè)問題來自于不同的膜層，這些不同的膜層以不問的方式吸收輻射能量，晶圓卜溫度不同，產(chǎn)生了晶圓上溫度的不均勻性。這種現(xiàn)象稱為發(fā)射性( emissivity)，是特定物質(zhì)和熱輻射波長的特性。溫度的不均勻性町以引起晶圓里或晶圓表面卜丁藝結(jié)果的不均勻，如果溫度的差異過大，會(huì)在晶圓邊緣產(chǎn)生晶格滑移位錯(cuò)。

   這一問題的解決方案就是對(duì)加熱燈的布置和對(duì)每個(gè)加熱燈-I二部和底部的加熱燈的控制有些系統(tǒng)有個(gè)加熱環(huán)，用來使邊緣的溫度保持在要求的溫度范圍內(nèi)。溫度通常由熱電偶檢測(cè)，町是它要求接觸晶圓的背面，這在單片系統(tǒng)中是不呵行的，并且熱電偶的反饋時(shí)間長 于有些RTP的加熱循環(huán)。．光學(xué)的高溫測(cè)量計(jì)通過測(cè)量物體發(fā)出的熱能量而顯示溫度，這種方法是比較好的。叮是，它太容易友生失誤，特別是對(duì)于具有多層膜的晶圓。難點(diǎn)在于晶圓發(fā)射的溫度與表面實(shí)際溫度的差異，解決方法是在晶圓背面加一層氮化硅以減小背面發(fā)射率的變化引和燈管開環(huán)控制技術(shù)的應(yīng)用。開環(huán)控制( open loop control)基于把燈的控制直接轉(zhuǎn)換成直流電( DC)，從而去除r電壓變化對(duì)燈的影響。其他研究包括對(duì)來自晶圓輻射的經(jīng)過與邏輯過濾后的精確取樣，使之更接近晶圓表面的實(shí)際溫度。由于溫度提高，測(cè)量晶圓的膨脹可能足-p更町靠、更直接的技術(shù)22，，由于RTP的種種益處，包括易于自動(dòng)化，它已變成·種常用的工藝。