列出在熱氧化反應(yīng)中的兩種氧化劑
發(fā)布時(shí)間:2015/10/29 20:36:08 訪問次數(shù):1192
學(xué)習(xí)完本章后,你應(yīng)該OTI002153能夠:
1.列出硅器件中,二氧化硅膜層的3種基本用途。
2.描述熱氧化機(jī)制。
3.概略了解和諷別反應(yīng)爐的基本結(jié)構(gòu)組成。
4.列出在熱氧化反應(yīng)中的兩種氧化劑。
5.簡略畫出干氧化反應(yīng)的系統(tǒng)圖。
6.畫出一個(gè)典型的氧化工藝流程圖。
7.解釋在二氧化硅膜層經(jīng)過熱生長形成膜層厚度里的反應(yīng)時(shí)間、壓力及溫度之間的相互關(guān)系。
8.描述快速熱氧化、高壓氧化、陽極氧化的反應(yīng)原理及用途。
參考文獻(xiàn)
[1 ] Cleasvelin, C. R., Columbo, L., Nimi, H., and Pas, S., Oxidation, an,d Cate Dielectric.s, Han,dbook ofSemicon,ductor Man,ufacmrin,g Techrzology,2nd ed. ,2008 , CRC Press , New York , NY : 9-I .[2] Hu, C., "MOSFET Scaling in the Next Decade and Beyond," Semicon,du,ctor In,ternation,al, Cahners
Publishing,Jun. 1994:105.
[ 3 ] Wolf, S., and Tauber, R.,.S///con Processin.g for the. VLSI Era ,1986 , Lattice Press , Sunset Beach , CA : 1986.
[4 ] Cise, P., and Blanchard, R., Modern, Semicon,du.ctor Fabrication, Techn,ology, 1986, Reston Books, Reston,
VA :43.
[ 5 ] Sze , S. M., VLSI Techn.ology,1983 , McGraw-Hill Book Company , New York , NY :137.
學(xué)習(xí)完本章后,你應(yīng)該OTI002153能夠:
1.列出硅器件中,二氧化硅膜層的3種基本用途。
2.描述熱氧化機(jī)制。
3.概略了解和諷別反應(yīng)爐的基本結(jié)構(gòu)組成。
4.列出在熱氧化反應(yīng)中的兩種氧化劑。
5.簡略畫出干氧化反應(yīng)的系統(tǒng)圖。
6.畫出一個(gè)典型的氧化工藝流程圖。
7.解釋在二氧化硅膜層經(jīng)過熱生長形成膜層厚度里的反應(yīng)時(shí)間、壓力及溫度之間的相互關(guān)系。
8.描述快速熱氧化、高壓氧化、陽極氧化的反應(yīng)原理及用途。
參考文獻(xiàn)
[1 ] Cleasvelin, C. R., Columbo, L., Nimi, H., and Pas, S., Oxidation, an,d Cate Dielectric.s, Han,dbook ofSemicon,ductor Man,ufacmrin,g Techrzology,2nd ed. ,2008 , CRC Press , New York , NY : 9-I .[2] Hu, C., "MOSFET Scaling in the Next Decade and Beyond," Semicon,du,ctor In,ternation,al, Cahners
Publishing,Jun. 1994:105.
[ 3 ] Wolf, S., and Tauber, R.,.S///con Processin.g for the. VLSI Era ,1986 , Lattice Press , Sunset Beach , CA : 1986.
[4 ] Cise, P., and Blanchard, R., Modern, Semicon,du.ctor Fabrication, Techn,ology, 1986, Reston Books, Reston,
VA :43.
[ 5 ] Sze , S. M., VLSI Techn.ology,1983 , McGraw-Hill Book Company , New York , NY :137.
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