學(xué)習(xí)完本章后，你應(yīng)該OTI002153能夠：

   1．列出硅器件中，二氧化硅膜層的3種基本用途。

   2．描述熱氧化機(jī)制。

   3．概略了解和諷別反應(yīng)爐的基本結(jié)構(gòu)組成。

   4．列出在熱氧化反應(yīng)中的兩種氧化劑。

   5．簡(jiǎn)略畫出干氧化反應(yīng)的系統(tǒng)圖。

   6．畫出一個(gè)典型的氧化工藝流程圖。

   7．解釋在二氧化硅膜層經(jīng)過(guò)熱生長(zhǎng)形成膜層厚度里的反應(yīng)時(shí)間、壓力及溫度之間的相互關(guān)系。

   8．描述快速熱氧化、高壓氧化、陽(yáng)極氧化的反應(yīng)原理及用途。

參考文獻(xiàn)

   [1 ]  Cleasvelin, C. R., Columbo, L., Nimi, H., and Pas, S., Oxidation, an,d Cate Dielectric.s, Han,dbook ofSemicon,ductor Man,ufacmrin,g  Techrzology,2nd  ed. ,2008 , CRC  Press , New  York , NY : 9-I .[2]  Hu, C., "MOSFET Scaling in the Next Decade and Beyond," Semicon,du,ctor In,ternation,al, Cahners

      Publishing,Jun. 1994:105.

[ 3 ]   Wolf, S., and  Tauber, R.,.S///con  Processin.g for the.  VLSI  Era ,1986 , Lattice  Press , Sunset  Beach , CA : 1986.

[4 ]  Cise, P., and  Blanchard, R., Modern, Semicon,du.ctor Fabrication,  Techn,ology, 1986, Reston  Books, Reston,

          VA :43.

[ 5 ]   Sze , S.  M., VLSI  Techn.ology,1983 , McGraw-Hill  Book  Company , New  York , NY :137.