在小的、OTI002108高性能的MOS晶體管的生產(chǎn)中，一個重要因素是薄的柵氧化層。然而，在ioo A（或更�。┓秶鷥�(nèi)，二氧化硅膜質(zhì)量趨于變差，并難以控制（見圖7. 32）。。二氧化硅膜的一種替代品是熱生長氮化硅膜( Si3 N4)。在這么薄的范圍內(nèi)，氮化硅膜比二氧化硅膜更致密，針孔更少。它還是一種很好的擴散阻擋層。由于在最初快速生長之后的平滑生長特性，使得薄膜的生長控制得到加強。圖7. 32顯示了這個特性。這一反應(yīng)是在950℃~ 1200℃之間，硅表面暴露在氨氣(NH3)中而生成氮化硅的29。

   有些先進器件使用氮化氧化硅( Si0，N，)膜，也稱為氮氧化物( nitride-oxide)膜。它們形成于二氧化硅膜的氮化，但不像二氧化硅膜。氮氧化物膜的組分隨著不同的生長工藝而變化[30]。另一種MOS 柵極結(jié)構(gòu)是三明治式的，即氧化膜／氮化膜／氧化膜( ONO).