曝光后，預(yù)期的圖形在正光刻膠中按熙聚合光刻膠（啟動(dòng)條件）和未聚合的光刻膠（由曝光引起的）的區(qū)域被編碼。兩個(gè)區(qū)域（聚合的和未聚合的區(qū)域）KSZ8842-32MVL有不同的溶解率，約為1：4。這意味著在顯影中總會(huì)從聚合的區(qū)域失去一些光刻膠（見(jiàn)圖9.3）。使用過(guò)度的顯影液或顯影時(shí)間過(guò)長(zhǎng)可能導(dǎo)致光刻膠薄到不能接受的程度，其結(jié)果是可能導(dǎo)致在刻蝕中翹起或斷裂。

   有兩種類型的化學(xué)顯影液用于正光刻膠，堿水溶液和非離子溶液。堿一水溶液可以是氫氧化鈉或氫氧化鉀。因?yàn)檫@兩種溶液都含有可動(dòng)的離子污染物，所以在制造敏感的電路時(shí)不能使用。大多數(shù)用正光刻膠的工藝線使用非離子的四甲基氫氧化銨( TMAH)溶液。有時(shí)要添加表面活性劑來(lái)去除表面張力，使溶液更易親合晶圓表面。正光刻膠的水溶性使它們?cè)诃h(huán)保上比有機(jī)溶液的負(fù)光刻膠更具吸引力。