本章將介紹從光刻膠的顯影到最終檢驗所使用的基本方法（基本工藝的第5步到第10步）。KS8995M本章末尾將涉及掩模版制作的使用和對準(zhǔn)誤差預(yù)算的討論。

   晶圓完成對準(zhǔn)和曝光后，器件或電路的圖案被以曝光和未曝光區(qū)域的形式記錄在光刻膠上（見圖9.1）。通過對未聚合光刻膠的化學(xué)分解來使圖案顯影。顯影技術(shù)被設(shè)計成使之把完全一樣的掩模版圖案復(fù)制到光刻膠上。不良的顯影工藝造成的問題是顯影不充分，它會導(dǎo)致開孔的尺寸不正確，或使開孔的側(cè)面內(nèi)凹。在某些情況下，顯影不夠深而在開孔內(nèi)留下一層光刻膠。第3個問題是過顯影，這樣會過多地從圖形邊緣或表面上去除光刻膠。要在保證高深寬比的塞孔的直徑一致，和由于清洗深孔時液體不易進入而造成的清洗困難的情況下，保持具有良好形狀的開孑L是一個特殊的挑戰(zhàn)。